tranzistorlar

PPTX 11 стр. 1,8 МБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇
1 / 11
заголовок презентации bajardi: sharifova.m qabul qildi: haydarov.sh raqamli texnikaga kirish vaavtomatika asoslari 1 mavzu: tranzistorlarning parametrlari va ularning xarakteristikasi. marjona sharifova tranzistor (ing. transfer – ko‘chirmoq va resistor – qarshilik) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va o‘zgartirish uchun mo‘ljallangan 3 elektrodli yarimo‘tkazgich asbob. заголовок презентации 2 2 mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi. amerika olimlari j. bardin, u. bratteyn va u. shokli 1948 yilda ixtiro qilishgan. tuzilishi va tokni boshqarish mexanizmiga ko‘ra, t. 2 katta sinfga: bipolyar (oddiy t.) va unipolyar (maydon t.i) sinflarga bo‘linadi. t.lar kichik quvvatli va kam shovqinli; impulsli; past, yuqori va o‘ta yuqori chastotali; foto t.lar (yorug‘lik signallarini elektr signallariga o‘zgartiruvchi) va boshqa turlarga bo‘linadi. t.lar, asosan, germaniy, kremniy va boqa monokristall yarimoo‘tkazgich materiallardan yasaladi. xalq orasida ixcham mikroelektron radiopriyomniklar ham t. deb yuritiladi. заголовок презентации 3 3 qo‘sh qutbli tranzistorlar. tranzistorlarlar radioelektronikada juda ko‘p ishlatiladi. ular qo‘sh qutbli va maydon tranzistorlariga bo‘linadi. qo‘sh qutbli tranzistor …
2 / 11
rol o‘ynaydi. bu soha emitter deb ataladi. kirish va asosiy tok tashuvchilar konsentratsiyasi ancha kam bo‘lgan o‘ng soha kollektor deb nom olgan. o‘rtadagi soha baza deb ataladi. bu sohada p-n-p tipdagi tranzistor uchun zaryadlarni tashuvchilar bo‘lib kovaklar xizmat qiladi, ular emitterdan diffuziyalanadi, chunki unga musbat kuchlanish ulangan bo`ladi. m sh.marjona m 5 kollektor o‘tishiga teskari kuchlanish qo‘yilsa, u holda kollektor zanjirida (p-n-o‘tish, rn nagruzka, ek batareya) uncha katta bo‘lmagan teskari tok ik hosil bo‘ladi. agar ayni paytda emitter o‘tishiga to‘g‘ri kuchlanish berilsa, u holda, birinchidan, emitter zanjirida (p-n-o‘tish, ee batareya, es signal manbai) tok ie hosil bo‘ladi, bu tok kirish signali kuchlanishining o‘zgarishiga mos holda o‘zgaradi va ikkinchidan, kollektor o‘tishidagi teskari tok sezilarli ko‘payadi. bundan tashqari, bu tok ham kuchlanish es ning o‘zgarishiga mos holda o‘zgaradi. sh.marjona m m , m , emitter tokining kollektor tokiga ta’sir qilishiga sabab shuki, ikkala p-no‘tish bir-biriga juda yaqin joylashgan, shuning uchun tok tashuvchilar …
3 / 11
y kollektorli. quyida eng ko‘p tarqalgan birinchi ikkita sxema (4.2- rasm, a va b) ko‘rib chiqamiz. . tranzistorning umumiy baza bilan ulanish sxemasi 4.2-rasm, a da ko‘rsatilgan. bunda kirish qarshiligi emitter-baza kuchlanishi ue ning emitter toki ie ga bo‘lgan nisbati bilan aniqlanadi, ya’ni tranzistorning umumiy baza bilan (a) va umumiy emitter bilan (b) ulanish sxemalari. , , m , sharifova marjona 8 tranzistorning turiga qarab kirish qarshiligining qiymati bir necha om dan bir qancha o‘nlab om diapazonida bo‘ladi. sharifova marjona 9 9 tranzistorning umumiy baza bilan (a) va umumiy emitter bilan (b) ulanish sxemalari. tranzistorning turiga qarab kirish qarshiligining qiymati bir necha om dan bir qancha o‘nlab om diapazonida bo‘ladi. sharifova marjona 10 e’tiboringiz uchun raxmat! foydalanilgan adabiyotlat ro’yxati . 3-ma’ruza. mavzu: tranzistorlar. tranzistorlarning parametrlari va ularning xarakteristikasi (fayllar.org) 11 image1.png image2.png image3.png image4.png image5.png image6.png image7.png image15.png image16.png image8.png image9.png image10.png image11.png image12.png image13.png image17.png image18.png image14.png
4 / 11
tranzistorlar - Page 4
5 / 11
tranzistorlar - Page 5

Хотите читать дальше?

Скачайте все 11 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "tranzistorlar"

заголовок презентации bajardi: sharifova.m qabul qildi: haydarov.sh raqamli texnikaga kirish vaavtomatika asoslari 1 mavzu: tranzistorlarning parametrlari va ularning xarakteristikasi. marjona sharifova tranzistor (ing. transfer – ko‘chirmoq va resistor – qarshilik) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va o‘zgartirish uchun mo‘ljallangan 3 elektrodli yarimo‘tkazgich asbob. заголовок презентации 2 2 mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi. amerika olimlari j. bardin, u. bratteyn va u. shokli 1948 yilda ixtiro qilishgan. tuzilishi va tokni boshqarish mexanizmiga ko‘ra, t. 2 katta sinfga: bipolyar (oddiy t.) va unipolyar (maydon t.i) sinflarga bo‘linadi. t.lar kichik quvvatli va kam shovqinli; impulsli; past, yuqori va o‘ta yuqori chastotali; foto t.la...

Этот файл содержит 11 стр. в формате PPTX (1,8 МБ). Чтобы скачать "tranzistorlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: tranzistorlar PPTX 11 стр. Бесплатная загрузка Telegram