дарлингтон жуфтлиги ва уилсон ток кўзгуси схемаси

PPT 23 стр. 712,5 КБ Бесплатная загрузка

23 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 712,5 КБ

Тип файла PPT

Страницы 23

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 23

powerpoint presentation 7- маъруза дарлингтон жуфтлиги. уилсон ток кўзгуси схемаси режа таркибий транзисторлар. дарлингтони жуфтлиги уилсон ток кўзгуси схемаси майдоний транзистор асосидаги ток манбалари таркибий транзисторлар каскадлар кучайтириш коэффициенти ва кириш қаршилигининг максимал қийматлари уэ схемасида транзисторнинг дифференциал ток узатиш коэффициенти h21э=β билан аниқланади. h21э нинг қиймати транзистор турига ва тайёрлаш технологиясига боғлиқ бўлиб, бир неча юзларни ташкил қилади. бир нечта (одатда иккита) транзисторни ўзаро улаб h21э қийматини ошириш мумкин. бунда уланишлар шундай амалга оширилиши керакки, транзисторларни ягона транзистор деб қараш мумкин бўлсин. бир турли жуфт транзисторлар асосидаги схемалар биринчи марта дарлингтон томонидан таклиф қилинган, шунинг учун дарлингтон жуфтлиги ёки таркибий транзистори деб юритилади. дарлингтон жуфтлигининг ток бўйича натижавий кучайтириш коэффициенти тахминан алоҳида транзисторлар кучайтириш коэффициентлари кўпайтмасига тенг: таркибий транзисторлар агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга, масалан 100 га тенг бўлса жуфтлик коэффициенти β= β1 ∙β2 = 10000. лекин, бир хил vt1 ва vt2 ларда β1 ва β2 …

2 / 23

боғлиқлиги кўп ўзгарувчан бўлади. комплементар бтлар асосидаги таркибий транзисторлар тузилиши қуйидаги расмда келтирилган. бунда кириш транзистори сифатида p-n-p турдаги, чиқиш транзистори сифатида n-p-n транзистор ишлатилади. натижавий токлар йўналишлари p-n-p транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. ток узатиш коэффициенти β= β1+ β1∙β2 бўлиб, амалда дарлингтон жуфтлигининг β сига тенг бўлади. таркибий транзисторлар ҳар хил турли транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. бундай тузилмаларга қўшимча симметрияли таркибий транзисторлар дейилади. мт ва бтдан иборат таркибий транзистор таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. ушбу расмда n – канали мт ва n-p-n турдаги бт асосидаги таркибий транзистор схемаси келтирилган. ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштиради. у жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, яъни қувват бўйича ҳам, жуда катта кучайтириш коэффициентига эга. uilsonning tok ko’zgusi uilsonning tok ko’zgusi - bu kirish terminalida kirish oqimini qabul qiladigan va chiqish terminalida "oyna" oqim manbaini yoki qabul qiluvchini ta'minlaydigan uch pallali …

3 / 23

ngan kirish va chiqish oqimlari o'rtasidagi farq. ushbu farqni minimallashtirish, differentsial kuchaytirgich bosqichida muvozanatsiz chiqish signalini konvertatsiya qilish uchun differentsial oqim oynasi kabi amaliy dasturlarda juda muhimdir, chunki bu farq rejim va quvvatning og'ish koeffitsientlarini boshqaradi. ток кўзгуси ток кўзгуси аналог интеграл схемаларда ток манбаси сифатида кенг қўлланилади. улар ёрдамида кучайтириш каскадлари иш режимларининг манба кучланиши ўзгаришларининг ва ҳароратнинг таъсирига боғлиқлиги камайтирилади. содда ток кўзгуси схемаси қуйидагича. асосий параметрлари: 1) чиқиш токи ва ток трансформация коэффициенти (агар у 1га тенг бўлмаса); 2) чиқиш қаршилиги; 3) ишлаш диапазони (рухсат этилган чиқиш кучланиши). уилсон ток кўзгуси схемаси содда ток кўзгуси (тк) битта камчиликка эга: чиқиш кучланиши ўзгариши билан чиқиш токи ўзагарди, сабаби эрли эффекти. қуйидаги уилсон ток кўзгуси схемасида чиқиш токи доимийлиги таъминланади. бунда vt1 ва vt2 лар одатдаги тк схемасидаги каби уланган. vt3 ҳисобига vt1 коллектор потенциали қуйидаги даражада фиксирланган: uк vt1=uп–uбэ vt2–uбэ vt3=uп– 2uбэ. бундай уланиш vt1да эрли эффектини бартараф …

4 / 23

рактеристикасини кўриб чиқамиз. қуйидаги расмда майдоний транзистор сток токининг сток–исток кучланишига боғлиқлиги келтирилган. кучланишнинг 7,5 в га ўзгаришида ток 0,07 ма га ўзгараябди, бу транзисторнинг барқарорлаш хоссасидан дарак беради ва канал қаршилиги rдифв «аб» оралиғида катта эканлигини кўрсатади. майдоний транзистор асосидаги ток манбалари р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистордаги ток манбаси схемаси қуйида келтирилган. бундай транзистор затвор кучланиши қутиби сток кучланиши қутибига тескари бўлганлиги учун ушбу схема содда кўринишга эга. ушбу ҳолда транзистор затвор ва истокларини қисқа туташтирилган ҳолда ток манбаси схемасини ҳосил қилиш мумкин. бунда «затвор-исток» соҳасидаги кучланиш нолга тенг бўлади. майдоний транзистор асосидаги ток манбалари транзисторнинг қуйида келтирилган узатиш ват дан кўринадики, затвор билан исток қисқа туташтирилганда транзистор токи максимал бўлади (iс.макс). ҳосил қилинаётган ток барқарорлиги тавсиф барқарорлиги билан аниқланади. бу ҳолда чиқиш токини исток занжирига rи қаршилик улаб камайтириш мумкин. rи қийматини аналитик ёки график усулда (расмда «аб» юклама чизиғидан) ҳисоблаш мумкин. майдоний транзистор асосидаги ток манбалари …

5 / 23

даги затвор-исток кучланиши бир хил. vt2 сток токи қуйидагига тенг: транзисторлардаги бўсахавий кучланиш ҳам бир хил, шунинг учун ток кўзгусили ток манбалари интеграл схемаларда муҳим ҳисобланади, жумладан кўпкаскадли кучайтиргичларга кучланиш беришда. бундай схемаларда резисторлар минимал бўлганлигидан интеграция даражаси юқори бўлади. murakkab tranzistor murakkab tranzistor - umumiy kollektor pallasida ulangan bir nechta tranzistorlarning kaskadli ulanishi. oldingi bosqichning yuki keyingi bosqichning tranzistorining tayanch-emitter o'tishidir, ya'ni tranzistorlar kollektorlar tomonidan ulanadi va kirish tranzistorining emitenti chiqish tranzistorining bazasiga ulanadi. bunga qo'shimcha ravishda, qarshilik ko'rinishidagi yukdan foydalanish mumkin. bunday ulanish bitta tranzistor sifatida qabul qilinadi, uning oqimi tranzistorlar faol rejimda bo'lganda, birinchi va ikkinchi tranzistorlarning daromadlari mahsulotiga teng bo'ladi: kompozit darlington tranzistori (yoki sxemasi) (ko'pincha darlington juftligi) 1953 yilda bell laboratories muhandisi sidney darlington tomonidan taklif qilingan. sxema ikki (kamdan-kam uch yoki undan ko'p) bipolyar [1] tranzistorlarning kaskadli ulanishi bo'lib, oldingi bosqichning emitent pallasida yuk keyingi bosqich tranzistorining baza-emitter o'tishini tashkil etadigan tarzda bog'langan. ya'ni …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 23 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "дарлингтон жуфтлиги ва уилсон ток кўзгуси схемаси"

powerpoint presentation 7- маъруза дарлингтон жуфтлиги. уилсон ток кўзгуси схемаси режа таркибий транзисторлар. дарлингтони жуфтлиги уилсон ток кўзгуси схемаси майдоний транзистор асосидаги ток манбалари таркибий транзисторлар каскадлар кучайтириш коэффициенти ва кириш қаршилигининг максимал қийматлари уэ схемасида транзисторнинг дифференциал ток узатиш коэффициенти h21э=β билан аниқланади. h21э нинг қиймати транзистор турига ва тайёрлаш технологиясига боғлиқ бўлиб, бир неча юзларни ташкил қилади. бир нечта (одатда иккита) транзисторни ўзаро улаб h21э қийматини ошириш мумкин. бунда уланишлар шундай амалга оширилиши керакки, транзисторларни ягона транзистор деб қараш мумкин бўлсин. бир турли жуфт транзисторлар асосидаги схемалар биринчи марта дарлингтон томонидан таклиф қилинган, шунинг учу...

Этот файл содержит 23 стр. в формате PPT (712,5 КБ). Чтобы скачать "дарлингтон жуфтлиги ва уилсон ток кўзгуси схемаси", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: дарлингтон жуфтлиги ва уилсон т… PPT 23 стр. Бесплатная загрузка Telegram