ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси

DOC 216,5 KB Bepul yuklash

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1403927325_48509.doc 0 @ э i 0 к к i i = 0 к б i i - = м k к м чик к e r i е u u » × - = = 0 б к кир бэ б r i u u u × + - = = 0 бўс б к кир u r i u £ × + - 0 бўс б к u r i £ × 0 k кэ м k ю r u e i i - = = кэ k k u i p × = ) ( 5 , 0 0 1 к к к t t t + × = 2 0 0 0 0 ) ( 2 1 бўс си c u u b i - = x y = 2 1 1 1 ) ( 2 1 бўс м c u е b i - = ) …

тга эга бўлган электр схемаларни яратишнинг нисбатан соддалиги шунга олиб келдики, ҳозирги замонавий рақамли техника мана шу иккилик ифодаланиш тизимга асосланган. рақамли қурилмалар ишлаш алгоритмини ифодалаш учун буль алгебраси ёки мантиқ алгебраси қўлланилади. мантиқ алгебраси доирасида рақамли схема кириш, чиқиш ва ички қисмларига мос равишда буль ўзгарувчилари ўрнатилади ва улар фақат икки қиймат қабул қилиши мумкин: х=0 агар х( 1; х=1 агар х ( 0. буль алгебраси асосий амаллари бўлиб мантиқий қўшув, кўпайтирув ва инкор амаллари ҳисобланади. мантиқий қўшув. бу амал ёки амали ёки дизъюнкция деб аталади. икки ўзгарувчини мантиқий қўшиш постулатлари 9.1 – жадвалда келтирилган. бундай жадваллар ҳақиқийлик жадваллари деб аталади. шуни таъкидлаш керакки, бу амал ихтиёрий ўзгарувчилар сонига мўлжалланган. амал бажарилаётган ўзгарувчилар сони, унинг белгисидан олдин турган рақам билан кўрсатилади. демак, 9.1 – жадвалда 2ёки амали бажарилган. мантиқий қўшув ёки амалини бажарувчи элемент (электрон схема) шартли белгиси 9.1 а – расмда келтирилган. 9.1 - жадвал х1 х2 y=х1+х2 …

ан ташкил топган негиз элемент ётади, масалан ҳам-эмас мантиқий амали (шеффер элементи) ёки ёки-эмас мантиқий амали (пирс элементи). рақамли интеграл микросхемалар яратишда турли мураккаб мантиқий амалларни бажарадиган схемаларни ясашда фақат битта ҳам-эмас, ёки ёки-эмас мантиқий элементидан фойдаланиш талаб қилиниши билан ҳам ажралиб туради. 9.2. мантиқий имс параметрлари ахборотни кодлаш усулига кўра мантиқий элементлар потенциал ва импульс усулларига бўлинадилар. мантиқий элементларнинг кўпчилиги потенциал ҳисобланади, яъни уларда иккилик ахборот иккита электр потенциал даража кўринишида ифодаланади: мантиқий 0 – паст потенциал u0, мантиқий 1 – юқори потенциал u1. импульс мантиқий элементларда мантиқий бирга - импульснинг мавжудлиги, мантиқий нольга – унинг мавжуд эмаслиги мос келади. имс потенциал мантиқий элементлари қуйидаги параметрлар билан характерланади: · мантиқий «0» ва «1» кучланишлари - u0 ва u1; · микросхема ҳолати тескари ҳолатга ўзгарадиган киришдаги маълум кучланиш – бўсағавий кучланиш uбўс; · кириш бўйича бирлашиш коэффициенти m (киришлар сони); · чиқиш бўйича тармоқланиш коэффициенти n (юклама қобилияти ёки мазкур …

тезкорлиги, кичик сочилиш қуввати, катта жойлаштириш зичлиги (ягона кристалл сиртида жойлашган элементлар сони) ва тайёрланишни технологиклиги ҳисобланади. юқорида санаб ўтилган негиз элементлар, у ёки бу, ёки бир неча параметрларига кўра бир – биридан устун турса, бошқа параметрларига кўра ёмонроқ ҳисобланади. имс негиз мантиқий элементи асоси бўлиб, қайта улагичлар сифатида қўлланиладиган бирор электрон калит ҳизмат қилиши мумкин. қайта улагичлар сифатида қўлланиладиган ярим ўтказгичли асбобларга қуйидаги умумий талаблар қўйилади: бирдан катта бўлган кучайтириш коэффициенти; ахборот узатиш тизимининг бир томонламалиги; кириш ва чиқиш бўйича катта тармоқланиш коэффициентлари; қайта уланишларнинг катта тезлиги; кичик истеъмол қуввати. электрон калитлар сифатида кремнийли биполяр ва майдоний транзисторлар қўлланилади. майдоний транзисторларда бажарилган калитлар кичик сочилиш қувватига эга бўлсалар, бир вақтнинг ўзида биполяр транзисторларда бажарилган электрон калитларнинг қўлланилиши уларнинг тезкорлигини оширишга имкон яратади. 9.3. биполяр транзисторларда ясалган калит схемалар бт да ясалган содда калит схемаси 9.2 – расмда келтирилган. юклама қаршилиги rк эмиттери умумий шинага уланган транзисторнинг коллектор занжирига уланган. …

iк0 қиймати кескин ортади ва натижада эмиттер ўтишдаги кучланиш ҳам ортади. шу сабабли беркилиш режимида транзистор нормал ишлаши учун қуйидаги шарт бажарилиши керак (9.4) , бу ерда uбўс – эмиттер ўтишдаги мусбат кучланиш uбэ бўлиб, ушбу қиймат ортса транзистор берк режимдан актив режимга ўтади, яъни очилади. интеграл технологияда бажарилган кремнийли транзисторлар учун uбўс=0,5(0,6 в. агар uкир=0, у ҳолда (9.4) шарт қуйидагича қайта ёзилади. (9.5) . uбўс=0,6 в ва iк0=1мка деб фараз қилсак, у ҳолда rб.max=0,6 мом га тенг бўлади. киришга uкир(0,7 в (мантиқий бир u1) кучланиш берилса транзистор актив ёки тўйиниш режимида ишлайди (калит уланган). калит режимда транзисторнинг актив иш режими маъқулланмайди, чунки юкламадаги ток фақат юклама rк ва манба кучланиши ем катталиги билан эмас, балки транзистордаги кучланиш пасайиши uкэ билан ҳам аниқланади, (9.6) , яъни транзистор хоссаларига (параметрларнинг ўзгариши ва уларнинг температурага боғлиқлиги) ҳам боғлиқ бўлади. бундан ташқари, актив режимда транзисторда қўшимча қувват сочилади, схеманинг фик камаяди. интеграл технологияда …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Faylni Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси" haqida

1403927325_48509.doc 0 @ э i 0 к к i i = 0 к б i i - = м k к м чик к e r i е u u » × - = = 0 б к кир бэ б r i u u u × + - = = 0 бўс б к кир u r i u £ × + - 0 бўс б к u r i £ × 0 k кэ м k ю r u e i i - = = кэ k k u i p × = ) ( 5 , 0 0 1 к к к t t t + × = 2 0 0 0 0 ) ( 2 1 …

DOC format, 216,5 KB. "ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: ярим ўтказгичли рақамли интегра… DOC Bepul yuklash Telegram