электроника ва радиотехника кафедраси

PPTX 45 стр. 4,3 МБ Бесплатная загрузка

45 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 4,3 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 45

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 45

презентация powerpoint электроника ва радиотехника кафедраси 4- маъруза: яримўтказгич асбоблар ишлашининг физикавий асослари режа ярим ўтказичларлар, қаттиқ жисм зона назарияси ҳақида тушунча хусусий электр ўтказувчанлик киритмали электр ўтказувчанлик р-n ўтиш яримўтказичли диодлар қаттиқ жисм зона назарияси қаттиқ жисм зона назарияси хусусий электр ўтказувчанлик яримўтказгич кристаллда киритмалар ва кристалл панжара тузилмалари нуқсонлари (бўш тугунлар, панжара сурилишлари ва бошқалар) бўлмаса, у хусусий яримўтказгич дейилади. бундай яримўтказгични i – билан белгилаш қабул қилинган. киритмали электр ўтказувчанлик электр ўтказувчанлиги асосан киритмалар атомларининг ионлашуви натижасида ҳосил бўладиган заряд ташувчилар билан боғлиқ ярим ўтказгичлар киритмали яримўтказгичлар деб аталади. киритмали электр ўтказувчанлик (n-турдаги яримўтказгич) киритмали электр ўтказувчанлик (р-турдаги яримўтказгич) ферми сатҳи берилган температурада ҳаракатчан ва қўзғалмас заряд ташувчилар концентрацияси ферми сатҳи wf ҳолати билан аниқланади. бу сатҳ бир электронга мос келувчи жисмнинг ўртача иссиқлик энергиясига мос келади. абсолют ноль температурадан фарқли температурада бу сатҳнинг тўлиш эҳтимоли 0,5 га тенг. баъзи ярим ўтказгичли асбоблар (туннель диодлари, туннель тешилишли …

2 / 45

мўтказгич материаллар (масалан, si ёки gaas) асоси-даги электр ўтишлар гомоўтиш, тақиқланган зоналари қиймати бир-биридан фарқланувчи яримўтказгичлар асосидаги ўтишлар эса гетероўтиш деб аталади. металларда тақиқланган зона бўлмагани сабабли гетеро-ўтишларнинг хусусий ҳолига мос, металл-яримўтказгич деб аталувчи электр ўтишлар ҳам электроникада кенг қўлланилади. кўп яримўтказгич асбоблар ва интеграл микросхемаларнинг ишлаш принципи электр ўтишларнинг хусусиятларига асосланади. p – n ўтиш ярим ўтказгич асбобларнинг аксарияти бир жинсли бўлмаган яримўтказгичлар асосида яратилади. хусусий ҳолда, бир жинсли бўлмаган яримўтказгич монокристаллнинг маълум соҳаси р – турли, бошқа соҳаси n – турли ўтказувчанликни намоён этади. яримўтказгичнинг p– ва n – соҳалари чегарасидан икки томонда ҳажмий заряд соҳасида электрон-ковак ўтиш ёки p-n ўтиш ҳосил бўлади. унинг ишлаш механизмини ойдинлаштириш учун n – соҳадаги электронлар ва p – соҳадаги коваклар сони бир-бирига тенг ва ҳар бир соҳада оз миқдорда ноасосий заряд ташувчилар мавжуд деб ҳисоблаймиз. хона температурасида p – турли ярим-ўтказгичда акцептор киришмалар манфий ионлари концентрация-си na-, коваклар концентрацияси pp га, …

3 / 45

нтрацияси технологик чегарада зинасимон ўзгарса, кескин p-n ўтиш юзага келади. унинг кенглиги l0 нафақат киритмалар концентрациясига, балки ўтишдаги концентрациянинг ўзгариш қонуниятига боғлиқ бўлиб, қуйидаги ифода бўйича топилади: (2.2) ва микрометрнинг ўнларча улушидан бир неча микрометргача бўлган қийматларни ташкил этади. демак, тор p-n ўтиш ҳосил қилиш учун яримўтказгичга юқори концентрацияли киритмалар киритиш, кенг p-n ўтиш ҳосил қилиш учун эса, киритмалар кон-центрацияси кичик бўлиши керак. бу ерда, q – электрон заряди, ε0 – электр доимийси, ε – яримўтказгичнинг нисбий электр доимийси. мувозанат ҳолатда р-n ўтиш р – n ўтиш токлари. электрон ва ковакнинг ўртача иссиқлик энергияси яримўтказгич температураси билан белгиланади ва kt га тенг, k – больцман доимийси, t – абсолют температура. яримўтказгичдаги ҳар бир зарра энергияси ўртача энергиядан фарқ қилади. айнимаган n –яримўтказгичда энергияси wi дан кичик бўлмаган электронлар концентрацияси больцман тақсимотига биноан қуйидаги ифода билан аниқланади: (2.3) ундан юқори энергияли заррачалар сони экспоненциал равишда кескин камайиши кўриниб турибди. бу ерда, …

4 / 45

ш орқали ток оқмайди, яъни макроскопик заряд ташиш амалга ошмайди (2.1 в-расм). номувозанат ҳолатда р-n ўтиш p-n ўтишнинг тўғри уланиши агар p-n ўтишга ташқи кучланиш u0 берилса мувозанат бузилади ва ундан ток оқиб ўта бошлайди. кучланиш манбаининг мусбат қутби p – соҳага, манфий қутби эса n – соҳага уланса, p-n ўтиш тўғри уланган ёки тўғри силжитилган деб аталади. бунда кучланиш манбаи ҳосил қилаётган электр майдон йўналиши p-n ўтиш ички электр майдони йўналишига тескари бўлгани учун натижавий майдон кучланганлиги камаяди. бу ўз навбатида p-n ўтишдаги потенциал тўсиқ баландлигини qu0 га камайишига олиб келади. натижада p-n ўтиш кенглиги ҳам кичиклашади. потенциал тўсиқнинг камайиши натижасида асосий заряд ташувчиларнинг p-n ўтиш орқали ўтиши ортади, диффузия токи қиймати катталашади. p – ва n – соҳаларда номувозанат ноасосий заряд ташувчилар ҳосил бўлади. яримўтказгич ҳажмига ноасосий заряд ташувчиларни “пуркаш” (киритиш) ҳодисаси инжекция деб аталади. (а) (б) тўғри силжитилган p-n ўтишдаги жараёнлар (а) ва gaas асосидаги p-n ўтишнинг …

5 / 45

lovchi diodlar ikki fazali, to‘liq davrli to‘g‘rilagich sxemasi quyidagi rasmda keltirilgan bo‘lib sxemada parallel ulangan ikkita bir fazali to‘g‘rilagichlardan tuzilgan. past chastotali to‘g‘rilovchi diodlar yuqori chastotali to‘g‘rilovchi diodlar yuqori chastotali to‘g‘rilagich diodlarning vazifasi o‘nlarcha va yuzlarcha megagers chastotalarda signallarni nochiziqli elektr o‘zgartirishdan iborat. yuqori chastotali diodlar yuqori chastotali detektorlarda, signallarni aralashtirgichlarda, chastota o‘zgartirgichlar sxemalarida va boshqalarda ishlatiladi. barcha bunday o‘zgartishlarda diod tokining berilgan kuchlanish bilan nochiziq bog‘lanishidan foydalaniladi. yuqori chastotali diodlar inersiyasi kamligi bilan farqlanadi. ular kichik sirtli (nuqtaviy) p-n o‘tishga ega, shuning uchun barer sig‘imi pikofaradalarni tashkil etadi. diodlarning baza sohasini oltin bilan legir-lash undagi eztlar yashash vaqtini kamaytiradi. natijada diffuziya si-g‘imi ham kamayadi. image1.png image2.png image3.png image4.png image5.png image6.png image7.png image8.png image9.wmf oleobject1.bin image10.wmf oleobject2.bin image11.wmf oleobject3.bin image12.png image13.png image14.png image15.png image16.png image17.png image18.png image19.png image20.png media1.gif image21.png media2.gif image22.png image23.jpeg image24.jpeg image25.png image26.png image27.png image91.png image10.png image28.wmf image29.wmf image30.wmf oleobject4.bin oleobject5.bin oleobject6.bin image31.png image32.png image33.png image34.png image35.png …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 45 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "электроника ва радиотехника кафедраси"

презентация powerpoint электроника ва радиотехника кафедраси 4- маъруза: яримўтказгич асбоблар ишлашининг физикавий асослари режа ярим ўтказичларлар, қаттиқ жисм зона назарияси ҳақида тушунча хусусий электр ўтказувчанлик киритмали электр ўтказувчанлик р-n ўтиш яримўтказичли диодлар қаттиқ жисм зона назарияси қаттиқ жисм зона назарияси хусусий электр ўтказувчанлик яримўтказгич кристаллда киритмалар ва кристалл панжара тузилмалари нуқсонлари (бўш тугунлар, панжара сурилишлари ва бошқалар) бўлмаса, у хусусий яримўтказгич дейилади. бундай яримўтказгични i – билан белгилаш қабул қилинган. киритмали электр ўтказувчанлик электр ўтказувчанлиги асосан киритмалар атомларининг ионлашуви натижасида ҳосил бўладиган заряд ташувчилар билан боғлиқ ярим ўтказгичлар киритмали яримўтказгичлар деб аталади. ки...

Этот файл содержит 45 стр. в формате PPTX (4,3 МБ). Чтобы скачать "электроника ва радиотехника кафедраси", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: электроника ва радиотехника каф… PPTX 45 стр. Бесплатная загрузка Telegram