yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar

DOCX 267,0 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1693471015.docx yarimo’tkazgichli metal chegarasida o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi toshkent davlat texnika universiteti lazer texnologiyalari va optoelektronika kafedrasi yarim o’tkazgichli optoelektron qurilmalar fanidan mavzu: yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar. mavzusida kurs ishi hisob-tushuntirish yozuvi bajardi: tekshirdi _____________________________________ ___________ toshkent-2022 o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi toshkent davlat texnika universiteti tasdiqlayman “lazer texnologiyalari va optoelektronika’’ kafedrasi mudiri b.abdurahmonov 2022 yil «___»__________ kurs loyihasi “lazer texnikasi” fani guruh: 148-19 lto talaba:xidirova setora rahbar: kamilov sherzod topshiriq 1.loyiha mavzusi: yarimo’tkazgichli metall chegarasida kontakt hodisalar. 2.dastlabki ma’lumotlar: yorug’lik diodi, uning tuzilishi va ishlash prinsiplari 3.kirish 4.nazariy qism 5.hisoblash tushuntirish yozuvi 1. grafik qismning tarkibi 1. qo’shimcha ma’lumotlar va ko’rsatmalar 1 2 3 4 ximoya 1. kurs ishini topshirish muddati talaba:xidirova setora rahbar: kamilov sh mundarija kirish……………………………….…………………………………….…….4 asosiy qism……………………………………………………………….……5 1. metall - yarim o’tkazgich kontakti ………………………………..…….6 2. yarim o’tkazgich - yarim o’tkazgich kontakti ……………………….…8 3. metall - metall kontakti.…………………………………………...……10 xulosa……………………………………………………….…………………11 …

$mo o’tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan farqlanuvchi yarimo’tkazgichlar asosidagi o’tishlar esa getero o’tish deb ataladi. metallarda taqiqlangan zona bo’lmagani sababli geteroo’tishlaming xususiy holiga mos, metall — yarimo’tkazgich deb ataluvchi elektr о ‘tishlar ham elektronikada keng qo’lianiladi. ko’p yarimo’tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming ishlash prinsipi elektr o’tishlaming xususiyatlariga asoslanadi. muvozanat holatda p-n o’tish yarimo’tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo’tkazgichlar asosida yaratiladi. xususiy holda, bir jinsli bo’lmagan yarimo’tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p - turli, boshqa sohasi n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. yarimo’tkazgichning p -va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron — kovak o’tish yoki p-n o’tish hosil bo’ladi. uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p -sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. xona temperaturasida p — turli yarimo’tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari konsentratsiyasi na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n - turli yarimo’tkazgichda …$

sidan kamayadi va bu qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1a-rasm). natijada, chegaradan ikki tomonda qo’sh elektr qatlam hosil boiadi. rasmda musbat va manfiy ishoralar bilan belgilangan doirachalar mos ravishda donor va akseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. hosil bo’lgan qo’sh elektr qatlami p-n o'tish deb ataladi. ushbu qatlamda harakatchan zaryad tashuvchilar bo’lmaydi. shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p - va n - sohalamikiga nisbatan juda yuqori bo’ladi. adabiyotlarda bu qatlam kambag’allashgan yoki i-soha deb ataladi. p - va n - sohalar chegarasidan ikki tomonda joylashgan hajmiy zaryad musbat va manfiy ishoraga ega bo’igani sababli p-n o’tish sohasida kuchlanganligi ё bo’lgan ichki elektr maydon hosil qiladi. ushbu maydon qo’sh elektr zaryad sohasiga kirgan asosiy zaiyad tashuvchilar uchun tormozlovchi ta’sir qilib, ulaming p-n o’tish orqali qo’shni sohaga o’tishiga qarshilik ko'rsatadi. potensialning p-n o’tish yuzasiga perpendikular bo’lgan x yo’nalishda o'zgarishi 2.1b-rasmda ko’rsatilgan. bu yerda p - va n - sohalar chegarasidagi potensial nol potensialga teng …

lushidan bir necha mikrometrgacha bo’lgan qiymatlarni tashkil etadi. demak, tor p-n o’tish hosil qilish uchun yarimo’tkazgichga yuqori konsentratsiyali kiritmalar kiritish, keng p-n o’tish hosil qilish uchun esa kiritmalar konsentratsiyasi kichik bo’lishi kerak. bu yerda, q - elektron zaryadi, - elektr doimiysi, - yarimo’tkazgichning nisbiy elektr doimiysi. qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o’tkazuvchanlik turi bil xil boiib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo’ladigan o’tkinchi qatlam elektr o’tish deb ataladi. yarimo'tkazgich asboblarda elektron - kovak o ‘tish yokip - n o’tish debataluvchi elektr o’tishdan keng foydalaniladi.taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan birxil yarimo’tkazgich materiallar (masalan, si yoki gaas) asosidagielektr o’tishlar gomoo’tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridanfarqlanuvchi yarimo’tkazgichlar asosidagi o’tishlar esa getero o’tish debataladi. metallarda taqiqlangan zona bo’lmagani sababli geteroo’tishlaming xususiy holiga mos, metall — yarimo’tkazgich deb ataluvchi elektr о’tishlar ham elektronikada keng qo’lianiladi. ko’p yarimo’tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming ishlash prinsipi elektr o’tishlaming xususiyatlariga asoslanadi. muvozanat …

$i konsentratsiyasi na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n – turli yarimo’tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi n /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud bo’lganligi sababli elektronlaming p - sohaga, kovaklaming n – sohaga diffuziyasi boshlanadi. termodinamik muvozanat holatidagi p-n o’tish.diffuziya natijasida chegara yaqinidagi n - sohada elektronlarkonsentratsiyasi qo’zg’almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidankamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. bir vaqtningo’zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo’zg’almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va buqatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1a-rasm). natijada, chegaradanikki tomonda qo’sh elektr qatlam hosil boiadi. rasmda musbat vamanfiy ishoralar bilan belgilangan doirachalar mos ravishda donor vaakseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. hosil bo’lgan qo’sh elektr qatlami p-n o'tish deb ataladi. ushbu qatlamda harakatchan zaryadtashuvchilar bo’lmaydi. shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p -va n - sohalamikiga nisbatan juda yuqori bo’ladi. adabiyotlarda buqatlam kambag’allashgan yoki i-soha deb …$

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar"

1693471015.docx yarimo’tkazgichli metal chegarasida o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi toshkent davlat texnika universiteti lazer texnologiyalari va optoelektronika kafedrasi yarim o’tkazgichli optoelektron qurilmalar fanidan mavzu: yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar. mavzusida kurs ishi hisob-tushuntirish yozuvi bajardi: tekshirdi _____________________________________ ___________ toshkent-2022 o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi toshkent davlat texnika universiteti tasdiqlayman “lazer texnologiyalari va optoelektronika’’ kafedrasi mudiri b.abdurahmonov 2022 yil «___»__________ kurs loyihasi “lazer texnikasi” fani guruh: 148-19 lto talaba:xidirova setora rahbar: kamilov sherzod topshiriq 1.loyiha mavzusi: yarimo’tkaz...

Формат DOCX, 267,0 КБ. Чтобы скачать "yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: yarimo’tkazgichli metal chegara… DOCX Бесплатная загрузка Telegram