marganets silitsid plyonkalarini diffuziya usuli bilan olish va tekshirish
Предварительный просмотр (5 стр.)
Прокрутите вниз 👇
![ari, diffuziya jarayonida kremniy yuzasida silitsidlar va boshqa metall va dielektrik plyonka qatlamlari hosil bo‘ladi. ifloslik atomlari bilan diffuziya dopingi olingandan keyin kremniyning yuzasi holati batafsil o‘rganilmagan. ba'zi mualliflar yarimo‘tkazgichga aralashma atomlarining diffuziya jarayonlarini o‘rganishda yaqin yuzadagi qatlamlarni olib tashlagan va diffuziya dopingi olingan kremniy yuzasining xususiyatlarini o‘rganishga e'tibor bermaganlar [5, 6]. ushbu maqolada yuqori marganets silitsidlari yuzasida hosil bo‘lgan marganets atomlari bilan ifloslangan kremniyni o‘rganish natijalari taqdim etilgan. kremniy ustida marganets silitsidlarining plyonkalari vakuumli kvarts ampolasida р=10(-5) ÷ 10(-6) mm simob ustuni vakuum darajasida olingan [7]. substratlar sifatida kdb-1 va kdb-10 markadagi bir kristalli kremniy, o‘lchami 10 × 10 × 0.8 mm3 va [11] kristallografik o‘q yo‘nalishida ishlatilgan. ampulaga yuklashdan oldin substratlar yuzasi mexanik va kimyoviy tozalangan. kvarts ampolasidagi marganets diffuziyasi vaqtiga asoslangan hisob-kitoblar kremniy substratiga to‘liq joylashishi uchun yetarli miqdorda bo‘lgan. namunalar vakuum darajasini buzmasdan, havoda sekin sovutilgan. tadqiqot natijalari shuni ko‘rsatdiki, texnologik jarayonning rejimlarini (harorat, vaqt) boshqarish …](/media/previews/pages/preview_mN6U0pA.webp "marganets silitsid plyonkalarini diffuziya usuli bilan olish va tekshirish - Страница 2")
![iyga diffuziya jarayonida atomlar oqimi hosil bo‘ladi, ular substratlarga joylashadi va diffuziya natijasida mnxsi1-х turidagi birikmalarni hosil qiladi. marganets diffuziyasining texnologik rejimlariga bog‘liq ravishda strukturaviy tadqiqotlar marganets silitsid plyonkalarini ma'lum elektr-fizik parametrlar bilan olish sharoitlarini optimallashtirish imkonini berdi. 3 eksperimental natijalar va ularning muhokamasi adabiyot ma'lumotlarini tahlil qilish [8-12] shuni ko‘rsatadiki, t=1050÷1150°c diapazonda issiqlik bilan qayta ishlash haroratida hosil bo‘lgan mn0.25si1-0.25 (hsm) yuqori marganets silitsid fazasi fotoelektronikada termoelektrik generatorlar (konvertorlar) uchun eng istiqbolli material hisoblanadi. silitsid plyonkalarining fazaviy tarkibi va anisotrop issiqlik emf koeffitsienti o‘rtasidagi bog'liqlik aniqlangan va elektr va kinetik parametrlari bo‘yicha massiv hsm bir kristaliga yaqin bo‘lgan polikristall plyonkalarni olish imkoniyati ko‘rsatilgan. texnologik omillar, masalan, vakuum darajasi, substrat harorati, kvarts ampolasi hajmi, substrat yuzasi ishlov berish va sovutish sharoitlari hcm plyonkalarini ishlab chiqarishda muhim ekanligi ko‘rsatildi. jadval 1. marganets silitsid plyonkalarining fizik parametrlаri (vakuum р~106 mm hg, tez sovutish) diffuziya harorati, °c yuza qarshiligi, rr, ом yuza qarshiluvchanligi …](/media/previews/pages/preview_hKpzQbq.webp "marganets silitsid plyonkalarini diffuziya usuli bilan olish va tekshirish - Страница 4")
![arginal mn atomlarining evaporatsiyasi davomida vakuum sharoitida р≈10-5 mm hg. art. t=1050÷1100°с harorat oralig'ida va namunalarning keyingi sekin sovutilishi bilan polikristal plyonkalar hosil bo‘lgan, ular silitsid yuzasiga yaqin ikki faza aralashmasidan iborat bo‘lgan — marganets monosilitsidi va yuqori marganets silitsidlari, monosilitsid ustunlikka ega bo‘lgan, yuqori qatlamda asosan hsm fazasi qatlamlari mavjud edi. qiziqarli ilmiy natijalar [13,14] kvarts quvurlarida vakuum р≈10-2 mm hg. art. sharoitida marganets atomlarining silitsidga diffuziyasini amalga oshirishda va keyingi sekin sovutish jarayonida olingan. ushbu sharoitlarda hsm zarralari 10 µm gacha bo‘lgan plyonkalar hosil bo‘ldi. namunalarning t=350÷800°c harorat oralig'ida qo‘shimcha termal annealingi hosil bo‘lgan hsm zarralarining kattalashishiga olib keldi. bunday plyonkalar yuqori o‘tkazish koeffitsientiga ega ekanligi aniqlandi [15] va ularning ichida bulk hsm bir kristallarga mos keluvchi kinetik va termoelektrik parametrlarning anisotropik xususiyatlari mavjudligi aniqlangan. yuqori marganets silitsidlar bilan silitsid yuzasining topologiyasini o‘rganishda, o‘rtacha zarralar o‘lchami 4–5 µm ekanligi, garchi alohida kristall zarralari ≈10 µm gacha yetishi aniqlangan. …](/media/previews/pages/preview_kzgmXFH.webp "marganets silitsid plyonkalarini diffuziya usuli bilan olish va tekshirish - Страница 5")
О "marganets silitsid plyonkalarini diffuziya usuli bilan olish va tekshirish"
2-ilova diffuziya usuli bilan kremniy substratida marganets silitsiyli plyonkalarini olish nurullo f. zikrillayev1 orcid: 0000-0002-6696-5265 e-mail: zikrillaev.n@gmail.com m.m. shoabdurahimova1 orcid: 0000-0002-1879-6751 e-mail:shoabduraximova.m@gmail.com e.b. saitov2 orcid: 0000-0001-7691-6849 e-mail: elyor.saitov@utas.uz 1toshkent davlat texnika universiteti, toshkent, 100095, o‘zbekiston respublikasi 2toshkent amaliy fanlar universiteti, toshkent, 100149, o‘zbekiston respublikasi e-mail: elyor.saitov@yandex.ru annotatsiya: marganets, rux, oltingugurt yoki selen atomlari bilan ifloslangan kompensatsiyalangan kremniydagi avtotebranish toklarini o‘rganish turli tabiati va qo‘zg‘alish shartlariga ega bo‘lgan bir nechta turdagi tok beqarorliklarini kuzatish imkonini beradi. avtotebranish to...
Этот файл содержит 5 стр. в формате DOCX (620,5 КБ). Чтобы скачать "marganets silitsid plyonkalarini diffuziya usuli bilan olish va tekshirish", нажмите кнопку Telegram слева.
DOCX
DOCX
DOC
DOC
DOCX
DOCX
DOCX
DOCX
DOC
DOCX
DOC