elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari

PPTX 10 стр. 396,6 КБ Бесплатная загрузка

10 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 396,6 КБ

Тип файла PPTX

Страницы 10

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 10

powerpoint presentation elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari atajanova nozima 01 elektron sxemalari dizaynining asosiy tushunchalari 02 elektron sxemalarni tahlil qilish va loyihalash usullari 03 elektron komponentlar va ularning xususiyatlari reja: passiv elementlar kondensatorlarning sig'imi farad (f) da o'lchanadi, ammo amalda mikrofarad (µf) yoki pikofarad (pf) birliklari ko'proq qo'llaniladi; masalan, 10µf kondensatorlar keng tarqalgan. rezistorlarning qarshilik qiymati, odatda, ohm (ω) birligida o'lchanadi va 10ω dan 1mω gacha bo'lgan diapazonda, masalan, elektronika do'konlarida toshkent shahrida osongina topish mumkin. induktorlarning induktivligi genri (h) da ifodalanadi, lekin milligenri (mh) yoki mikrohenri (µh) kabi kichikroq birliklar ko'pincha 5mh atrofida, xitoyda ishlab chiqarilgan elektron komponentlar orasida uchraydi. aktiv elementlar aktiv elementlar, masalan, tranzistorlar, elektron sxemalarning asosiy funksiyalarni bajarishini ta'minlaydi va 1947-yilda bell laboratoriyalarida ixtiro qilingan bipolyar qo'shma tranzistor kabi qurilmalar, signalni kuchaytirish yoki kalitlash kabi vazifalarni amalga oshiradi. aktiv elementlarning xususiyatlari, ularning kuchlanish-tok xarakteristikalari va parametrlari, masalan, o'tkazuvchanlik koeffitsienti (hfe) yoki transkonduktansiyasi (gm) kabi ko'rsatkichlar bilan …

2 / 10

lanishi, masalan, o'zbekistonning elektronika sanoati korxonalarida, kuchlanishning 10%, chastotalarning 100 khz gacha bo'lgan o'zgarishlariga chidamlilik va signalning past shovqinli uzatilishi kabi parametrlarga bog'liq. integrallashgan mikrosxemalarni loyihalashda, masalan, texas instruments kompaniyasi tomonidan ishlab chiqarilgan 74-seriyali mantiqiy elementlarida, asoslar topologiyasi qurilmaning ishonchliligini va 5v dan 12v gacha bo'lgan kuchlanish diapazonida ishlashini ta'minlaydi. signallar va to'lqinlar токио университетида ўтказилган тадқиқотлар 10 ггц частотагача бўлган сигналларни юқори аниқликда қайта ишлаш учун янги турдаги кучайтиргичларни яратиш имкониятини кўрсатди. 50 ом импедансли сигнал линияларидан фойдаланиш, микросхемаларни лойиҳалашда 10% гача хатоликни камайтиради, бу эса москвада ишлаб чиқарилган микросхемалар сифатини яхшилайди. силиконли фотодетекторлар 10 -9 ампер токни ҳам аниқлай олиши туфайли, оптик сигналларни электр сигналларига айлантиришда юқори сезувчанликка эришилади, бу нью-йоркдаги тиббиёт технологияларида кенг қўлланилади. elektron sxemalarini loyihalash usullari analog va raqamli sxemalarni birlashtirishda, masalan, arduino mikrokontroleridan foydalanib, 16 bitli aniqlikka erishish mumkin, bu esa 1000 ta o'lchov nuqtasini qayta ishlash imkonini beradi. simulyatsiya dasturlari, masalan, multisim yordamida, …

3 / 10

aydi. integrallashgan mikrosxemalar (ic), masalan, 74 seriyali mantiqiy elementlar, minglab tranzistorlarni o'z ichiga olishi mumkin va ularning hajmi atigi bir necha kvadrat millimetrni tashkil etadi, bu esa miniatyurizatsiya va energetik samaradorlikni ta'minlaydi. tranzistorlar, masalan, bipolyar qo'shma tranzistorlar (bjt) yoki dala effekti tranzistorlari (fet), elektron sxemalarning asosiy aktiv elementlari hisoblanadi va ularning o'tkazuvchanligi 100 ma dan 10 a gacha bo'lishi mumkin. elektr zanjiri tahlili elektr zanjiri tahlilida kvl (kirchhoffning kuchlanish qonuni) va kcl (kirchhoffning tok qonuni) 2 ta asosiy qonun bo'lib, ular elektron komponentlarning 50v dan yuqori kuchlanishdagi o'zaro ta'sirini hisoblashda qo'llaniladi. filtrlash zanjiri dizaynida 10 khz dan yuqori chastotalarni filtrlash uchun yuqori tartibli rc filtrlar, masalan, 5-tartibli chebyshev filtrlari qo'llaniladi. bunday filtrlar samarqanddagi radiotexnika zavodlarida ishlab chiqariladi. tranzistorli kuchaytirgichlarning 3ta asosiy turi mavjud: umumiy emitter, umumiy kollektor va umumiy baza. ularning har biri toshkentdagi elektronika laboratoriyalarida o'rganiladi. e'tiboringiz uchun rahmat @taqdimot_robot image1.jpeg image2.jpeg image3.jpeg

4 / 10

elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari - Page 4

5 / 10

elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari - Page 5

Хотите читать дальше?

Скачайте все 10 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari"

powerpoint presentation elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari atajanova nozima 01 elektron sxemalari dizaynining asosiy tushunchalari 02 elektron sxemalarni tahlil qilish va loyihalash usullari 03 elektron komponentlar va ularning xususiyatlari reja: passiv elementlar kondensatorlarning sig'imi farad (f) da o'lchanadi, ammo amalda mikrofarad (µf) yoki pikofarad (pf) birliklari ko'proq qo'llaniladi; masalan, 10µf kondensatorlar keng tarqalgan. rezistorlarning qarshilik qiymati, odatda, ohm (ω) birligida o'lchanadi va 10ω dan 1mω gacha bo'lgan diapazonda, masalan, elektronika do'konlarida toshkent shahrida osongina topish mumkin. induktorlarning induktivligi genri (h) da ifodalanadi, lekin milligenri (mh) yoki mikrohenri (µh) kabi kichikroq birliklar ko'pincha 5mh atrofida, xitoyda ish...

Этот файл содержит 10 стр. в формате PPTX (396,6 КБ). Чтобы скачать "elektron sxemalarni ishlab chiqish asoslari", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: elektron sxemalarni ishlab chiq… PPTX 10 стр. Бесплатная загрузка Telegram