elektronika va sxemalar 2

DOCX 23 sahifa 1,3 MB Bepul yuklash

23 sahifa

FaylHub.uz

Telegram orqali yuklab olish

Hajm 1,3 MB

Fayl turi DOCX

Sahifalar 23

Yangilangan Dek 2025

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1 / 23

1-ma’ruza. elektronika va sxemalar 2 fani, mazmuni va usullari. elektr signallari kuchaytirgichlari. teskari aloqa va uni kuchaytirish qurilmalarining xarakteristikalariga ta’siri. elektronika va sxemalar 2 fani, mazmuni va usullari. integral mikrosxemalarning yaratilish tarixi. nanoelektronika, funksional elektronika. zamonaviy axborot va kommunikatsiya texnologiyalari murakkab tizim sinfiga mansub bo‘lib, ular turli murakkablikdagi elektr sxemalardan tashkil topgan. shuning uchun ushbu tizimlarni shakllantiruvchi elektron asboblarni o‘rganish dolzarb masalalardan biri hisoblanadi. ushbu fan telekommunikatsiya texnologiyalari, kompyuter texnikasi va boshqa ko‘plab sohalarda ishlatiladigan elektron qurilmalar turlarini, xarakteristikalarini, ularning tuzilishi, ishlash mexanizimlari va ular yordamida yaratiladigan murakkab qurilmalarning texnologik va sxemotexnik xususiyatlarini o‘rganish masalalarini o‘z ichiga oladi. “elektronika va sxemalar 2” fani “elektronika va sxemalar 1” fanining bevosita davomi bo‘lib, unda integral mikrosxemalar, ularning yasalishi, turlari, ishlash tamoyillari va ular asosida yasalgan murakkab elektron qurilmalar o‘rganiladi. ushbu kursda ims (integral mikrosxema) lar asosidagi differentsial va operatsion kuchaytirgichlar, mantiqiy elementlar va optoelektron asboblar haqida nazariy va amaliy bilimlar beriladi. elektrotexnika …

2 / 23

natuvchi elektr choynakdan tortib, murakkab kosmik apparatlarda ham keng qo‘llanilmoqda. imslarda yarimo‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanlik xususiyatini elektr maydoni orqali boshqariladi. monolit imslarning ixtiro qilinishi esa, avvallari alohida-alohida tayyorlangan va sxemalarda ham alohida joylashtirilgan elementlar - tranzistorlar, rezistorlar, kondensator va hokazolarni, yarimo‘tkazgich materialdan tayyorlangan bitta kristall mikrochipga favqulodda juda kichik ixcham o‘lchamlarda joylashtirish imkonini berdi. boz ustiga, sxemalarni qo‘lda yig‘ishdan ko‘ra, imsni avtomatik yig‘ilishi - juda tezkor va samarali jarayon bo‘lib, bu o‘z navbatida elektron sxemalarning ishonchliligining oshishi va tannarxining kamayishiga sabab bo‘ladi. integral mikrosxemalar hozirda fotolitografiya usulida trafaret yordamida turli shakllar yasash orqali tayyorlanadi. integral mikrosxemalar juda ixcham bo‘lgani uchun unda turli elementlarning orasidagi masofa juda kichik bo‘ladi. bu esa elektr zanjirida yig‘ilgan mantiqiy elementlarning tezkorligini oshrishga xizmat qiladi. elektr zanjiri elementlarini yagona qurilmada (mikrointegral sxemalarda) jamlash sohasidagi urinishlar o‘tgan asrning 20-yillarda vakuum asboblarinidan boshlangan. integral sxemalardan farqli o‘laroq, u soliqlardan qochish uchun mo‘ljallangan edi, chunki germaniyada radiolar radiodagi elementlarning elektrodlari soniga …

3 / 23

ar berilmagan. 1958 - yilda djek kilbi germaniydan tayyorlangan birinchi integral sxemani ishlab chiqadi. u ishlab chiqqan asl gibrid integral sxema 1.1-rasmda keltirilgan. 1.1-rasm. djek kilbining dastlabki integral sxemasi integral mikrosxemalarni ishlab chiqish kontseptsiyasining yana bir ilk tarafdori buyuk britaniya mudofaa vazirligiga qarashli qirollik radiolokatsiya muassasasida ishlagan olim djeffri uilyam arnold dammer (ing. geoffrey william arnold dummer) (1909-2002) edi. dammer bu g‘oyani 1952 - yil 7 - mayda vashingtonda sifatli elektron komponentlar rivojlanishiga bag‘ishlangan simpoziumda ommaga taqdim etdi. u o‘z g‘oyalarini targ‘ib qilish uchun ko‘plab ommaviy simpoziumlar o‘tkazdi va 1956 - yilda bunday sxemani qurishga urinib ko‘rgan. 1953-1957 yillar orasida sidni darlington (ing. sidney darlington) va yasuo tarui (ing. yasuo tarui) bir nechta tranzistorlar umumiy faol sohani bo‘lishishi mumkin bo‘lgan shunga o‘xshash integral sxema dizaynlarini taklif qilishdi. ushbu integral sxemada tranzistorlarni bir-biridan ajratib turadigan elektr izolyatsiyasi mavjud bo‘lmagan. jan xorni (ing. jean amedee hoerni) tomonidan ishlab chiqilgan planar jarayon texnologiyasi …

4 / 23

ta miniatyura (kichik hajmli) komponentni o‘z ichiga olgan kichik keramik asoslarni (mikromodullar deb ataladi) yaratish edi. keyin komponentlar birlashtirilishi va ikki o‘lchovli yoki uch o‘lchovli ixcham panjaraga ulanishi mumkin. 1957 - yilda juda istiqbolli bo‘lib tuyulgan bu g‘oyani aqsh harbiylari uchun d. kilbi taklif qilingan va mikromodulni yaratish bu dasturning asosiy maqsadi bo‘lgan. loyiha jadal rivojlanishi natijasida d. kilbi integral sxemaning mutlaqo yangicha tuzilishini yaratdi. texas instruments kompaniyasida ishlayotgan d. kilbi 1958 - yilda integral mikrosxemaga oid dastlabki ilmiy fikrlarni berdi, 1958 - yil oxirlarida esa integral mikrosxemaning dastlabki ishchi namunasini yasadi. u 1959 - yil fevraldagi patent arizasida d. kilbi o‘zining yangi qurilmasini “yarimo‘tkazgichli material korpusida barcha elektron sxema komponentlari to‘liq integrallashgan” deb atadi. ushbu yangi ixtironing birinchi marta amerika harbiy-havo kuchlarining harbiy texnikasi uchun ishlatildi. d. kilbi integral mikrosxemani ixtiro qilishda ishtirok etgani uchun 2000 - yilda fizika bo‘yicha nobel mukofotini oldi. aslida, d. kilbining ixtirosi monolit integral …

5 / 23

tomonidan ishlab chiqilgan planar jarayon yordamida ishlab chiqarilgan. zamonaviy integral sxemalar djek kilbi ixtiro qilgan gibrid integral sxemasiga emas, balki robert noysning monolit integral sxemasiga asoslangan. 1.2-rasmda integral sxema ixtirochilari djek kilbi (1923-2005) va robert noys (1927-1990) lar tasvirlangan. integral mikrosxemalar yaratilgandan beri ularning rivoji mur (gordon earle moore) qonuni asosida rivojlanib kelmoqda. bu qonunga asosan har 2 yilda zamonaviy ims lar ichidagi kompanenta va elementlar soni 2 marta ortib bormoqda. imsning murakkablik darajasi uning yarim o‘tkazgich asosida (taglikda) nechta element yoki kamponenta joylashtirilganligiga bog‘liq holda belgilanadi. masalan, elementlarining soni 10 tagacha bo‘lgan mikrosxemalar birinchi darajali integral sxema yoki oddiy mikrosxema, elementlarining soni 100 tagacha bo‘lganlari - o‘rta (o‘is) mikrosxema deb ataladi. elementlarining soni 100-10 000 intervalida bo‘lsa bundai integral sxemalar uchinchi darajali va yana katta integral sxema (kis) da 10 000 dan ortiq elementlar mavjud bo‘lsa ular o‘ta katta (o‘kis), ya’ni yuqori darajada integrallanishli mikrosxemalar hisoblanadi. shuningdek elementlar soni …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Barcha 23 sahifani Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"elektronika va sxemalar 2" haqida

1-ma’ruza. elektronika va sxemalar 2 fani, mazmuni va usullari. elektr signallari kuchaytirgichlari. teskari aloqa va uni kuchaytirish qurilmalarining xarakteristikalariga ta’siri. elektronika va sxemalar 2 fani, mazmuni va usullari. integral mikrosxemalarning yaratilish tarixi. nanoelektronika, funksional elektronika. zamonaviy axborot va kommunikatsiya texnologiyalari murakkab tizim sinfiga mansub bo‘lib, ular turli murakkablikdagi elektr sxemalardan tashkil topgan. shuning uchun ushbu tizimlarni shakllantiruvchi elektron asboblarni o‘rganish dolzarb masalalardan biri hisoblanadi. ushbu fan telekommunikatsiya texnologiyalari, kompyuter texnikasi va boshqa ko‘plab sohalarda ishlatiladigan elektron qurilmalar turlarini, xarakteristikalarini, ularning tuzilishi, ishlash mexanizimlari va ula...

Bu fayl DOCX formatida 23 sahifadan iborat (1,3 MB). "elektronika va sxemalar 2"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: elektronika va sxemalar 2 DOCX 23 sahifa Bepul yuklash Telegram