tunnel diodlari

PPTX 20 стр. 1,1 МБ Бесплатная загрузка

20 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 1,1 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 20

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 20

powerpoint presentation yarim oʻtgazgich - yarim oʻtkazgich kontakti ergasheva hilola 1. energiya diagrammalari va energetik darajalar diagrammasi 2. yarim oʻtkazgich – yarim oʻtkazgich kontakti turlari 3. kontakt xossalari va ularning qoʻllanilishi reja: tunnel diodlari tunnel diodlari yuqori chastotali (ghz diapazonigacha) elektron qurilmalarda, masalan, yuqori tezlikdagi osilatorlar va kuchaytirgichlarda qo'llaniladi va ularning maksimal chastotalari 100 ghz ga yetishi mumkin. tunnel diodlari o'ziga xos i-v xarakteristikasiga ega bo'lib, teskari yo'nalishda 10-100 mv kuchlanishda o'tkazuvchanlikning keskin o'sishi kuzatiladi, bu esa tunnel effekti bilan bog'liq. hetero- va homo-tugallanishlar band gap energiyasi farqi 0.3 ev dan ortiq bo'lgan heterojuftlashuvlar, schottky bariyerining hosil bo'lish ehtimolini oshiradi, bu esa qurilmalar samaradorligiga sezilarli ta'sir ko'rsatishi mumkin. homojuftlashuvlarda, band gap energiyasi o'xshash bo'lgan ikkita yarimo'tkazgich materiallar ishlatiladi, masalan, ikkita kremniy (si) turi, bu esa chegaraviy qatlamda kamroq defektlar hosil bo'lishini ta'minlaydi. kontaktning elektr xossalari o'tkazuvchanlik tipidagi farqlanishlar natijasida p-n o'tishida 10 -6 dan 10 -12 sm gacha bo'lgan kenglikda …

2 / 20

kontaktidagi tutashuvning idealligi barerning balandligi va yarimo'tkazgichning dopingi darajasiga bog'liq bo'lib, ideal holatdan chetga chiqishlar 10 11 -10 13 sm -2 oralig'ida bo'lishi mumkin. schottky kontaktida metall va yarimo'tkazgich chegarasida 0,2-0,8 ev oralig'ida past potentsial to'siq hosil bo'ladi, bu esa yuqori chastotali diodlar va mikroto'lqinli texnologiyalarda qo'llanilishini ta'minlaydi. kontaktning issiqlik xossalari metall-yarimo'tkazgich kontaktlarida issiqlik oqimining zichligi 10⁴-10⁶ w/m² gacha yetishi mumkin, bu esa kontaktning issiqlik stressini oshiradi va kontaktning ishonchliligi pasayishiga sabab bo'ladi. kontaktning termal qarshiligi, ya'ni issiqlik o'tkazuvchanligi, materialning turiga va kontakt maydonining o'lchamiga bog'liq bo'lib, odatda 10⁻⁴ dan 10⁻² k/w gacha oralig'ida o'zgaradi. yarimo'tkazgich-yarimo'tkazgich kontakti tushunchasi kontaktning o'tkazuvchanligi, donor va akseptor konsentratsiyalari kabi parametrlarga, shuningdek, 10 15 -10 18 sm -3 oralig'idagi qo'shimchalar konsentratsiyasiga bog'liq. yarimo'tkazgich-yarimo'tkazgich kontaktida potensial to'siqning balandligi ikki yarimo'tkazgichning o'zaro ta'sirining turiga, masalan, p-n o'tishda 0,7 v ga yaqin bo'lishi mumkin. kontaktning chastota xossalari yuqori chastotalarda, 10 ghz dan yuqoriroqda, kontaktning sig'imi va induktivligi tufayli …

3 / 20

arimoʻtkazgichlarning energiya diapazonlari va oʻtish mintaqasining kengligini aniqlash mumkin. fermi darajasi va ish funksiyasi fermi darajasi yarimo'tkazgichning o'tkazuvchanlik zonasida elektronlarning zichligi bilan bog'liq bo'lib, mutlaq nol haroratda 0,025 ev atrofida joylashgan bo'lishi mumkin. ish funksiyasi metall yoki yarimo'tkazgich sirtidan elektronni chiqarish uchun zarur bo'lgan minimal energiyani ifodalaydi va odatda 4-5 ev atrofida bo'ladi. amaliy qo'llanilishi mikroelektronika sanoatida 10 nm dan kam o'lchamdagi tranzistorlarni yaratishda yarimo'tkazgich-yarimo'tkazgich kontaktlari o'tish qarshiligini kamaytirish va ishlashni yaxshilash uchun muhim ahamiyat kasb etadi. yuqori tezlikdagi elektron asboblar, masalan, 10 gbps dan yuqori tezlikdagi tranzistorlar, yarimo'tkazgich-yarimo'tkazgich kontaktlarining o'ziga xos xususiyatlaridan, jumladan, o'tish tezligidan foydalanadi. elektron va teshik injektiyasi p-n o‘tishida, teshik injeksiyasi darajasi elektron injeksiyasi darajasidan farq qilishi mumkin va bu farq 10 15 -10 18 sm -3 oralig‘ida bo‘lgan qatlamning legirovka darajasiga bog‘liq. elektron va teshik injeksiyasi jarayonida potensial to‘siq balandligi 0,7 ev dan yuqori bo‘lganda, faqatgina yuqori energiyali elektronlar va teshiklar injeksiya qilinadi, bu esa …

4 / 20

tni tashkil etadi va dioddan o'tadigan tokka bog'liq. zener diodlari teskari yo'nalishdagi kuchlanishni 5 dan 200 v gacha bo'lgan oralig'ida barqaror ushlab turadi va shu bilan kuchlanishni stabilizatsiyalashda qo'llaniladi. kontakt potensial farqi kontakt potensial farqi ikki yarim o'tkazgich materialining turli elektron ishlash funksiyalari tufayli hosil bo'ladi, masalan, 0,7 ev farq 0,2 ev va 0,9 ev bo'lgan ikki material o'rtasida paydo bo'ladi. kontakt potensial farqi haroratga bog'liq bo'lib, harorat oshishi bilan uning qiymati pasayadi, masalan, 300 k da 0.7 v bo'lsa, 400 k da taxminan 0.6 v ga tushadi. ohmik kontakt ohmik kontakt hosil qilish uchun yarim o'tkazgichning sirtini maxsus kimyoviy yoki termal ishlov berish orqali, 10 18 sm -3 dan yuqori konsentratsiyali yuza holatlarini yaratish muhimdir. ohmik kontaktlarda elektronlarning potensial to'siqni 0,1-0,3 ev atrofida yengishi, bu esa kontakt qarshiligining past bo'lishiga va 10 -6 ωsm dan past bo'lgan o'tkazuvchanlikka olib keladi. o'tish qatlami o'tish qatlamining potensial to'siq balandligi, ishlatilgan yarim …

5 / 20

Хотите читать дальше?

Скачайте все 20 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "tunnel diodlari"

powerpoint presentation yarim oʻtgazgich - yarim oʻtkazgich kontakti ergasheva hilola 1. energiya diagrammalari va energetik darajalar diagrammasi 2. yarim oʻtkazgich – yarim oʻtkazgich kontakti turlari 3. kontakt xossalari va ularning qoʻllanilishi reja: tunnel diodlari tunnel diodlari yuqori chastotali (ghz diapazonigacha) elektron qurilmalarda, masalan, yuqori tezlikdagi osilatorlar va kuchaytirgichlarda qo'llaniladi va ularning maksimal chastotalari 100 ghz ga yetishi mumkin. tunnel diodlari o'ziga xos i-v xarakteristikasiga ega bo'lib, teskari yo'nalishda 10-100 mv kuchlanishda o'tkazuvchanlikning keskin o'sishi kuzatiladi, bu esa tunnel effekti bilan bog'liq. hetero- va homo-tugallanishlar band gap energiyasi farqi 0.3 ev dan ortiq bo'lgan heterojuftlashuvlar, schottky bariyerining h...

Этот файл содержит 20 стр. в формате PPTX (1,1 МБ). Чтобы скачать "tunnel diodlari", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: tunnel diodlari PPTX 20 стр. Бесплатная загрузка Telegram