yarimo'tkazgich asboblar

PPTX 45 стр. 4,2 МБ Бесплатная загрузка

45 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 4,2 МБ

Тип файла PPTX

Страницы 45

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 45

prezentatsiya powerpoint elektronika va radiotexnika kafedrasi 4- ma'ruza: yarimo'tkazgich asboblar ishlashining fizikaviy asoslari reja yarim o'tkazichlarlar, qattiq jism zona nazariyasi haqida tushuncha xususiy elektr o'tkazuvchanlik kiritmali elektr o'tkazuvchanlik r-n o'tish yarimo'tkazichli diodlar qattiq jism zona nazariyasi qattiq jism zona nazariyasi xususiy elektr o'tkazuvchanlik yarimo'tkazgich kristallda kiritmalar va kristall panjara tuzilmalari nuqsonlari (bo'sh tugunlar, panjara surilishlari va boshqalar) bo'lmasa, u xususiy yarimo'tkazgich deyiladi. bunday yarimo'tkazgichni i – bilan belgilash qabul qilingan. kiritmali elektr o'tkazuvchanlik elektr o'tkazuvchanligi asosan kiritmalar atomlarining ionlashuvi natijasida hosil bo'ladigan zaryad tashuvchilar bilan bog'liq yarim o'tkazgichlar kiritmali yarimo'tkazgichlar deb ataladi. kiritmali elektr o'tkazuvchanlik (n-turdagi yarimo'tkazgich) kiritmali elektr o'tkazuvchanlik (r-turdagi yarimo'tkazgich) fermi sathi berilgan temperaturada harakatchan va qo'zg'almas zaryad tashuvchilar kontsentratsiyasi fermi sathi wf holati bilan aniqlanadi. bu sath bir elektronga mos keluvchi jismning o'rtacha issiqlik energiyasiga mos keladi. absolyut nol temperaturadan farqli temperaturada bu sathning to'lish ehtimoli 0,5 ga teng. ba'zi yarim o'tkazgichli asboblar (tunnel diodlari, tunnel teshilishli …

2 / 45

i p – n o'tish deb ataluvchi elektr o'tishdan keng foydalaniladi. taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya'ni kimyoviy jihatdan bir xil yarimo'tkazgich materiallar (masalan, si yoki gaas) asosi-dagi elektr o'tishlar gomoo'tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan farqlanuvchi yarimo'tkazgichlar asosidagi o'tishlar esa geteroo'tish deb ataladi. metallarda taqiqlangan zona bo'lmagani sababli getero-o'tishlarning xususiy holiga mos, metall-yarimo'tkazgich deb ataluvchi elektr o'tishlar ham elektronikada keng qo'llaniladi. ko'p yarimo'tkazgich asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash printsipi elektr o'tishlarning xususiyatlariga asoslanadi. p – n o'tish yarim o'tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo'tkazgichlar asosida yaratiladi. xususiy holda, bir jinsli bo'lmagan yarimo'tkazgich monokristallning ma'lum sohasi r – turli, boshqa sohasi n – turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. yarimo'tkazgichning p– va n – sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron-kovak o'tish yoki p-n o'tish hosil bo'ladi. uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n – sohadagi elektronlar va p – sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad …

3 / 45

ntratsiyasi ham qo'zg'almas manfiy aktseptor ionlari kontsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1 a-rasm). muvozanat holatda r-n o'tish 2.1-rasm. termodinamik muvozanat holatidagi p-n o'tish. p-n o'tishni hosil qiluvchi nd va na kiritmalar kontsentratsiyasi texnologik chegarada zinasimon o'zgarsa, keskin p-n o'tish yuzaga keladi. uning kengligi l0 nafaqat kiritmalar kontsentratsiyasiga, balki o'tishdagi kontsentratsiyaning o'zgarish qonuniyatiga bog'liq bo'lib, quyidagi ifoda bo'yicha topiladi: (2.2) va mikrometrning o'nlarcha ulushidan bir necha mikrometrgacha bo'lgan qiymatlarni tashkil etadi. demak, tor p-n o'tish hosil qilish uchun yarimo'tkazgichga yuqori kontsentratsiyali kiritmalar kiritish, keng p-n o'tish hosil qilish uchun esa, kiritmalar kon-tsentratsiyasi kichik bo'lishi kerak. bu erda, q – elektron zaryadi, ε0 – elektr doimiysi, ε – yarimo'tkazgichning nisbiy elektr doimiysi. muvozanat holatda r-n o'tish r – n o'tish toklari. elektron va kovakning o'rtacha issiqlik energiyasi yarimo'tkazgich temperaturasi bilan belgilanadi va kt ga teng, k – boltsman doimiysi, t – absolyut temperatura. yarimo'tkazgichdagi har bir zarra energiyasi …

4 / 45

ilan bir vaqtda noasosiy zaryad tashuv-chilarning p-n o'tish maydoni yo'nalishida siljishi boshlanadi. bu maydon noasosiy zaryad tashuvchilarga tezlatuvchi ta'sir ko'rsatib, dreyf tokini hosil qiladi. p-n o'tishga elektr kuchlanish beril-maganda termodinamik muvozanat yuzaga keladi, ya'ni diffuziya va dreyf toklari absolyut qiymatlari teng bo'ladi. diffuziya va dreyf toklari qarama-qarshi tomonlarga yo'nalgan bo'lgani sababli p-n o'tish orqali tok oqmaydi, ya'ni makroskopik zaryad tashish amalga oshmaydi (2.1 v-rasm). nomuvozanat holatda r-n o'tish p-n o'tishning to'g'ri ulanishi agar p-n o'tishga tashqi kuchlanish u0 berilsa muvozanat buziladi va undan tok oqib o'ta boshlaydi. kuchlanish manbaining musbat qutbi p – sohaga, manfiy qutbi esa n – sohaga ulansa, p-n o'tish to'g'ri ulangan yoki to'g'ri siljitilgan deb ataladi. bunda kuchlanish manbai hosil qilayotgan elektr maydon yo'nalishi p-n o'tish ichki elektr maydoni yo'nalishiga teskari bo'lgani uchun natijaviy maydon kuchlanganligi kamayadi. bu o'z navbatida p-n o'tishdagi potentsial to'siq balandligini qu0 ga kamayishiga olib keladi. natijada p-n o'tish kengligi ham kichiklashadi. …

5 / 45

rmulaning soddalashgan ko‘rinishidan foydalanish mumkin. past chastotali to‘g‘rilovchi diodlar to‘g‘rilagichning asosiy vazifasi – to‘g‘rilagich kirishiga berilgan kuchlanish yo‘nalishi o‘zgarganda, yuk-lamadan oqib o‘tayotgan tok yo‘nalishini o‘zgartirmay saqlashdan ibo-rat. yarimo‘tkazgich diodlar asosidagi to‘g‘rilagichlar ulardagi diodlar soni va ulanish sxemalari bilan farqlanadi. yarimo‘tkazgich diod asosidagi, aktiv yuklamaga ulangan, bir fazali, yarim davrli sodda to‘g‘rilagich sxemasi quyidagi rasmda keltirilgan. past chastotali to‘g‘rilovchi diodlar ikki fazali, to‘liq davrli to‘g‘rilagich sxemasi quyidagi rasmda keltirilgan bo‘lib sxemada parallel ulangan ikkita bir fazali to‘g‘rilagichlardan tuzilgan. past chastotali to‘g‘rilovchi diodlar yuqori chastotali to‘g‘rilovchi diodlar yuqori chastotali to‘g‘rilagich diodlarning vazifasi o‘nlarcha va yuzlarcha megagers chastotalarda signallarni nochiziqli elektr o‘zgartirishdan iborat. yuqori chastotali diodlar yuqori chastotali detektorlarda, signallarni aralashtirgichlarda, chastota o‘zgartirgichlar sxemalarida va boshqalarda ishlatiladi. barcha bunday o‘zgartishlarda diod tokining berilgan kuchlanish bilan nochiziq bog‘lanishidan foydalaniladi. yuqori chastotali diodlar inersiyasi kamligi bilan farqlanadi. ular kichik sirtli (nuqtaviy) p-n o‘tishga ega, shuning uchun barer sig‘imi pikofaradalarni tashkil etadi. diodlarning baza sohasini oltin …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 45 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "yarimo'tkazgich asboblar"

prezentatsiya powerpoint elektronika va radiotexnika kafedrasi 4- ma'ruza: yarimo'tkazgich asboblar ishlashining fizikaviy asoslari reja yarim o'tkazichlarlar, qattiq jism zona nazariyasi haqida tushuncha xususiy elektr o'tkazuvchanlik kiritmali elektr o'tkazuvchanlik r-n o'tish yarimo'tkazichli diodlar qattiq jism zona nazariyasi qattiq jism zona nazariyasi xususiy elektr o'tkazuvchanlik yarimo'tkazgich kristallda kiritmalar va kristall panjara tuzilmalari nuqsonlari (bo'sh tugunlar, panjara surilishlari va boshqalar) bo'lmasa, u xususiy yarimo'tkazgich deyiladi. bunday yarimo'tkazgichni i – bilan belgilash qabul qilingan. kiritmali elektr o'tkazuvchanlik elektr o'tkazuvchanligi asosan kiritmalar atomlarining ionlashuvi natijasida hosil bo'ladigan zaryad tashuvchilar bilan bog'liq yarim o...

Этот файл содержит 45 стр. в формате PPTX (4,2 МБ). Чтобы скачать "yarimo'tkazgich asboblar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: yarimo'tkazgich asboblar PPTX 45 стр. Бесплатная загрузка Telegram