mikroprotsessorlar

DOCX 580,6 КБ Бесплатная загрузка

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1667076027.docx mikroprotsessorlar reja: yarim o’tkazgichli mikroelektronikaning fizik asoslari mikroprosessor turlari mikroprosessorlarning ishlash va faoliyat ko’rsatish imkoniyatlari mikroprosessorning tuzilishi xotira va uning ishlash imkoniyatlari registrlar va ularning turlari ushbu ishda yarim o’tkazgichli mikroelektronikaning fizik asoslari, mikroprosessor turlari, mikroprosessorlarning ishlash va faoliyat ko’rsatish imkoniyatlari, mikroprosessorning tuzilishi, xotira va uning ishlash imkoniyatlari, registrlar va ularning turlari haqidagi asosiy tushinchalar haqida tanishtiriladi. yarim o’tkazgichli mikroelektronikaning fizik asoslari radioelektron qurilmalar juda ko’p sondagi elektron asboblardan tashkil topadi. fan va texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turi yanada ortib bormoqda. shuning uchun radioelektron qurilmaning mustahkamligi, uzoq, muddat ishonchli hizmat qila olish qobiliyati va boshqa hususiyatlarini oshirgan holda ularning hajmini kichraytirish, og’irligi va sarf qiladigan quvvatini kamaytirish kabi masalalar o’rtaga qo’yilmoqda. yarim o’tkazgichlar texnikasining rivojlanishi yarim o’tkazgichli asboblarning ma’lum kombinatsiyadagi sistemasini bir qobiqda joylashtirish imkoniyatini yaratdi. bunday asboblar modul — sxemalar yoki mikromodullar deb ataladi. ularda o’ta ixcham qobiqsiz yarim o’tkazgichli asboblap, plyonkali (pardasimon) qarshilik va kondensatorlar …

bir qismi ajralmas qilib bog’langan bo’ladi. ular bir-biri bilan shunday tutashganki, natijada bir butun qurilma bo’lib hizmat qiladi. mikrosxemalarni turlarga ajratish juda ko’p belgilarga asoslanadi: materialining turi, elementlarining soni, funktsional bog’lanishi, qanday maqsadga hizmat qilishi, ishlab chiqarish texnologiyasi, konstruktsiya va boshqalar. masalan, bajaradigan ishining turiga qarab — kuchaytirgichlar, generatorlar, mantiqiy elementlar; funktsional maqsadiga qarab— raqamli, qiyosiy (chiziqli), hissiy— raqamli; ishlab chiqarish texnologiyasi va konstruktsiyasiga qarab — yarim o’tkazgichli, pardasimon (plenkali), gibridli va birlashtirilgan sxemalar mavjud. ims ning murakkabligi yarim o’tkazgich kristalida nechta element joylashtirilganligi bilan belgilanadi. shunga ko’ra mikrosxemalar integrallanish darajasi orqali xarakterlanadi. masalan, elementlarining soni 10 tagacha bo’lgan mikrosxemalar birinchi darajali integral sxema (is1) yoki oddiy mikrosxema, elementlarining soni 100 tagacha bo’lganlari—ikkinchi darajali integral sxema (is2) yoki o’rta (o’is) mikrosxema deb ataladi. elementlarining soni 100-10000 bo’lgan islar iii darajali, ya’ni katta integral sxema (kis), 10 000 dan ortiq elementga ega bo’lgan mikrosxemalar esa, o’ta katta (o’kis), ya’ni yuqori darajada …

alki fizik xodisalar asosida bajariladi. integral mikrosxemalar funktsional bog’lanishiga qarab 2 hil — impuls — qiyosiy va mantiqiy (logik) bo’ladi. impuls qiyosiy ims garmonik yoki impuls tebranishlarni hosil qilish yoki kuchaytirishda, mantiqiy ims esa, qurilmani elektron kalit rejimida ishlashini ta’minlashda qo’llaniladi. imslarning kichik o’lcham va massaga ega bo’lishi, kam quvvat sarflashi yoki ishonch bilan ishlashi, yuqori tezkorligi, arzonligi va boshqalar ularning afzalliklaridir. imsning yuqori ishonch bilan ishlashi payvandlanadigan birikmalar sonining kamayishi hisobiga bo’lsa, yuqori tezkorligi — elementlari orasidagi tutashtirish oralig’ining kichikligi bilan xarakterlanadi. har bir mikrosxemani ishlatishda tashqi manba kuchlanishi, nagruzkasining kattaligi, ta’sir etuvchi signal xususiyatlari va boshqalar oldindan aniqlangan bo’lishi lozim. yarim o’tkazgichli, pardasimon, gibridli va birlashtirilgan (qo’shma) imslar eng ko’p qo’llaniladigan mikrosxemalardir. yarim o’tkazgichli ims yarim o’tkazgich materialidan iborat bo’lib, uning sirtqi qatlamida yoki hajmida elektr sxema elementlariga, tutashtirish simlariga, himoya (izolyatsiya) qatlamlariga ekvivalent bo’lgan sohalar hosil qilingan bo’ladi. ko’pincha yarim o’tkazgich sifatida kremniy kristali olinadi. u mikrosxemaning …

. pardasimon imslar ikki turga ajratiladi: yupqa (1—2 mkm) pardali va qalin (10— 20 mkm) pardali. ular faqat qalinliklari bilangina emas, balki taglikka tushirish texnologiyasi bilan ham bir-biridan farq qiladi pardasimon imsdan faqat passiv element — rezistorlar koidensatorlar, induktivlik g’altagi yasaladi. ulardan rc — filtrlar tuziladi. duragay ims shunday mikrosxemaki, u pardasimon, yarimo’tkazgichli va diskret osma aktiv elementlarning birorta kombinatsiyasini tashkil qiladi. ular pardasimon imsning dielektrik tagligiga joylashtiriladi. osma element deganda, asosan, ixchamlashtirilgan qobiqsiz diod va tranzistorlar tushuniladi. ular mustaqil element bo’lib, taglikka yopishtirib (osib) qo’yiladi va parda elementlari bilan ingichka simlar yordamida tutashtiriladi. duragay imsda yarim o’tkazgichli ims ham osma element hisoblanadi. ayrim hollarda yetarlicha katta sig’im va induktivlik zarur bo’lganda ixchamlashtirilgan kondensator va induktivlik g’altagi ham osma element sifatida joriy qilinadi, chunki pardasimon imsda katta sig’im va induktivlikka erishish mumkin bo’lmaydi. birlashtirilgan imsda aktiv zlementlar yarim o’tkazgichli mikrosxemadagi, passiv elementlar esa, pardasimon mikrosxemalardagi kabi yasaladi. ular umumiy taglikka …

mslarning elementlari yarim o’tkazgich kristalining sirti yoki hajmida joylashadi. ularning har biri yarim o’tkazgichning ma’lum sohasini egallaydi va mustaqil element — diod, tranzistor, rezistor, kondensator va boshqalar bo’lib hizmat qiladi. bu sohalar bir-biridan yo dielektrik, yoki teskari kuchlanish ulangan r — p o’tishlar yordamida himoya qilinadi. ular purkash yo’li bilan hosil qilinadigan simchalar yordamida biror elektr sxemani aks ettirgan holda tutashtiriladi. tutashtirish simchalari metall tarmoqchalar deb ataladi. ular, asosan, alyuminiydan tayyorlanadi. yarim o’tkazgichli imslarning elementlarini yasash murakkab texnologik jarayon bo’lib, ularning turlari xilma-xildir. barcha jarayonlarning negizini tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha passiv va aktiv elementlar tranzistor asosida hosil qilinadi. asos tranzistor vazifasini bipolyar yoki unipolyar tranzistorlar bajaradi. : tranzistorlar. bipolyar tranzistorlarni yasashda uning har ikki formulasi r — p — r va p — r — p dan foydalaniladi. ulardan p — r — p turi eng ko’p tarkalgan. tranzistorlarni yasashda, asosan, planar va epitaksal — planar deb atalgan …

Хотите читать дальше?

Скачайте полный файл бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "mikroprotsessorlar"

1667076027.docx mikroprotsessorlar reja: yarim o’tkazgichli mikroelektronikaning fizik asoslari mikroprosessor turlari mikroprosessorlarning ishlash va faoliyat ko’rsatish imkoniyatlari mikroprosessorning tuzilishi xotira va uning ishlash imkoniyatlari registrlar va ularning turlari ushbu ishda yarim o’tkazgichli mikroelektronikaning fizik asoslari, mikroprosessor turlari, mikroprosessorlarning ishlash va faoliyat ko’rsatish imkoniyatlari, mikroprosessorning tuzilishi, xotira va uning ishlash imkoniyatlari, registrlar va ularning turlari haqidagi asosiy tushinchalar haqida tanishtiriladi. yarim o’tkazgichli mikroelektronikaning fizik asoslari radioelektron qurilmalar juda ko’p sondagi elektron asboblardan tashkil topadi. fan va texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turi yanada or...

Формат DOCX, 580,6 КБ. Чтобы скачать "mikroprotsessorlar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: mikroprotsessorlar DOCX Бесплатная загрузка Telegram