elektronika va sxemalar 1

PDF 4 pages 361.4 KB Free download

4 pages

FaylHub.uz

Download via Telegram

Size 361.4 KB

File type PDF

Pages 4

Updated Dec 2025

Page preview (4 pages)

Scroll down 👇

1 / 4

muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti “elektronika va sxemalar 1” fanidan amaliy topshiriq bajardi: baxramov temur guruh:214-23 13-mavzu umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish ishning maqsadi: umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning ni multisim dasturiy muhiti yordamida asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish qisqacha nazariy ma‟lumotlar: tranzistor va uning turlari.1948-yilda d.bardin, v.bratteyn va v. shoklilar nuqtali p-n o„tishlar bilan ishlab turib, ikki p-n o„tishli qurilma quvvati bo„yicha elektr tebranishlarni kuchaytirish qobiliyatiga egaligini guvohi bo„lishdi. bu qurilmani ular tranzistor deb atashdi (“transfer” - o„zgartiruvchi va “resistor” - qarshilik – ingliz so„zlaridan olingan). bugungi kunda bir yoki bir nechta p-n o„tishli va uch yoki undan ko„p uchlari bo„lgan elektr o„zgartiruvchi yarim o„tkazgichli asbob tranzistor deb nomlanadi bipolar tranzistor ixtiro qilingandan buyon yarimo„t-kazgichlar elektronikasi deb ataluvchi soha tez sur‟atlar bilan rivojlana boshladi. issiqlik ta‟sirida yarimo„tkazgichdagi valent elektronlarning ma‟lum qismi erkin zaryad tashuvchilarni yuzaga keltirishi mumkin. yarimo„tkazgichlarning …

2 / 4

va signallarni tok, kuchlanish yoki quvvat bo„-yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo„tkazgich asbobga aytiladi. btda tok hosil bo„lishida ikki xil (bipolar) zaryad tashuvchilar – elektronlar va kovaklar ishtirok etadi. bt p- va n- o„tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarimo„tkazgich sohaga ega (1,a yoki b-rasmlar) u k b = 0 v ie (ma) 0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10 -12 -14 ueb (v) 0 -0.59 -0.636 -0.659 -0.674 -0.686 -0.696 -0.704 -0.711 -0.717 -0.723 -0.734 -0.742 u k b = 2 v ie (ma) 0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10 -12 -14 ueb (v) 0 -0.539 -0.57 -0.609 -0.644 -0.664 -0.678 -0.689 -0.698 -0.706 -0.713 -0.725 -0.735 i e = - 4 m a ik (ma) 0 1 2 2,5 3 4 - - - - - - - ukb (v) -0.674 -0.66 -0.641 -0.628 -0.609 76 i e …

3 / 4

4 / 4

Want to read more?

Download all 4 pages for free via Telegram.

Download full file

About "elektronika va sxemalar 1"

muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti “elektronika va sxemalar 1” fanidan amaliy topshiriq bajardi: baxramov temur guruh:214-23 13-mavzu umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish ishning maqsadi: umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning ni multisim dasturiy muhiti yordamida asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish qisqacha nazariy ma‟lumotlar: tranzistor va uning turlari.1948-yilda d.bardin, v.bratteyn va v. shoklilar nuqtali p-n o„tishlar bilan ishlab turib, ikki p-n o„tishli qurilma quvvati bo„yicha elektr tebranishlarni kuchaytirish qobiliyatiga egaligini guvohi bo„lishdi. bu qurilmani ular tranzistor deb atashdi (“transfer” - o„zgartiruvchi ...

This file contains 4 pages in PDF format (361.4 KB). To download "elektronika va sxemalar 1", click the Telegram button on the left.

Tags: elektronika va sxemalar 1 PDF 4 pages Free download Telegram