integralmikrosxemalar

DOCX 6 стр. 40,5 КБ Бесплатная загрузка

6 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 40,5 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 6

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 6

integralmikrosxemalar ════════════════════════════════════════════ 7.1. umumiymalumotlar integralmikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo’lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi ҳisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jiҳatdan o’zaro boғlangan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar)majmui bo’lib, yagona texnologik tsiklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos)damalum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi. imslarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, ҳisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ҳam bajaradi. xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yiғish talab qilinardi. imslar uchun ikki asosiy belgimavjud: konstruktiv va texnologik. konstruktiv belgisi shundaki, imsning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jiҳatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo’lib, yagona ҳisoblanadi. ims elementlarining ҳammasi yoki bir qismi va elementlararo boғlanishlar yagona texnologik tsiklda bajariladi. shu sababli integralmirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. ҳozirgi kunda yasalish turi va ҳosil bo’ladigan tuzilmaga ko’ra imslarning uchta printsipial turimavjud: yarim o’tkazgichli, pardali va …

2 / 6

ko’ra imslar ikki turga bo’linadi: yarim o’tkazgichli va dielektrik. asos sifatida yarim o’tkazgichlimateriallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo’llaniladi. imsning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o’tkazgichlimonokristall plastina ko’rinishida asos ichida joylashadi. dielektrik asosli imslarda elementlar uning sirtida joylashadi. yarim o’tkazgich asoslimikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi ҳisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo’lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. dielektrik asoslimikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, ҳamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. 7.2. pardali va gibridmikrosxemalar pardali is – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko’rinishida bajarilganmikrosxema. pardalar past bosimda turlimateriallardan yupqa paradalar ko’rinishida cho’kmalar ҳosil qilish yo’li bilan olinadi. parda ҳosil qilish usuli va unga boғliq bo’lgan qalinligiga ko’ra yupqa pardali is(parda qalinligi 1 – 2mkmgacha) va qalin pardali is (parda qalinligi10 – 20mkm gacha va katta) larga bo’linadi. ҳozirgi kunda barqaror pardali …

3 / 6

oblar, diodli va tranzistorlimatritsalar va yuqori yaroqlimikrosxemalar chiqishi. 7.3. yarim o’tazgichli imslar tranzistorning ishlatilish turiga ko’ra yarim o’tkazgichli imslarni bipolyar vamdya ims larga ajratish qabul qilingan. bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o’tishlimaydoniy tranzistorlar yasalgan imslardan foydalanish katta aҳamiyat kasb etmoqda. bu sinfga galliy arsenidida yasalgan imslar, zatvori shottki diodi ko’rinishida bajarilganmaydoniy tranzistorlar kiradi. ҳozirgi kunda bir vaqtning o’zida ҳam bipolyar, ҳammaydoniy tranzistorlar qo’llanilgan imslar yaratish tendentsiyasi belgilanmoqda. ikkala sinfgamansub yarim o’tkazgichli islar texnologiyasi yarim o’tkazgich kristallini galma – gal donor va aktseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. natijada sirt ostida turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan yupqa qatlamlar, yani n–p–n yoki p–n–p tuzilmali tranzistorlar ҳosil bo’ladi. bir tranzistorning o’lchamlari enigi bir nechamikrometrlarni tashkil etadi. aloҳida elementlarning izolyatsiyasi yoki r-n o’tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga oshirilishimumkin. tranzistorli tuzilma faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ҳam qo’llaniladi. mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko’p emitterli va ko’p kollektorli tranzistorlar ҳam …

4 / 6

ilinadi. bunday ulanishlarning beshta variantimavjud. agar diod yasash uchun emitter – baza o’tishdagi r-n o’tish qo’llanilsa, u ҳolda kollektor – baza o’tishdagi r-n o’tish uziq bo’lishi kerak. rezistorlar. bipolyar tranzistorli imslarda rezistor ҳosil qilish uchun bipolyar tranzistor tuzilmasining biror soҳasi: emitter, kollektor yoki baza qo’llaniladi. emitter soҳalari asosida kichik qarshilikka ega bo’lgan rezistorlar ҳosil qilinadi. baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi. kondensatorlar. bipolyar tranzistorli imslarda teskari yo’nalishda siljigan r–n o’tishlar asosida yasalgan kondensatorlar qo’llaniladi. kondensatorlarning shakllanishi yagona texnologik tsiklda tranzistor va rezistorlar tayyorlash bilan bir vaqtning o’zida amalga oshiriladi. demak ularni yasash uchun qo’shimcha texnologik amallar talab qilinmaydi. mdya – tranzistorlar. imslarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanali induktsiyalanganmdya–tranzistorlar qo’llaniladi. tranzistor kanallari r- va n– turli bo’lishimumkin.mdya–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar sifatida ҳam qo’llaniladi, yani barcha sxema funktsiyalari birginamdya – tuzilmalarda amalga oshiriladi. agar dielektrik sifatida sio2 qo’llanilsa, u ҳolda bu tranzistorlarmoya–tranzistorlar deb ataladi.mdya …

5 / 6

kremniy ikki oksidi sio2 o’ynaydi. bu pardadamaxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning kontsentratsiya gradienti tasirida kiritma atomlarini yarim o’tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. ionli legirlashdamaxsusmanbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektrmaydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o’tkazgichning sirt qatlamiga singadilar. planar texnologiyada yasalgan yarim o’tkazgichli bipolyar tuzilmali ims namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 7.1 a, b - rasmda keltirilgan. diametri 76mmli yagona asosdabir varakayiga usulda bir vaqtning o’zida ҳar biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000mikrosxema yaratishmumkin. diametri 120mm bo’lgan plastinada o’nlabmilliontagacha element joylashtirishmumkin. zamonaviy imslar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar r–turdagi asosda o’stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida ҳosil qilinadi. epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo’lgan qatlam o’stirishga aytiladi. a) b) 7.1 – rasm. planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 6 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О "integralmikrosxemalar"

integralmikrosxemalar ════════════════════════════════════════════ 7.1. umumiymalumotlar integralmikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo’lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi ҳisoblanadilar. integral mikrosxema (ims) elektr jiҳatdan o’zaro boғlangan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar)majmui bo’lib, yagona texnologik tsiklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos)damalum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi. imslarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, ҳisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ҳam bajaradi. xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yiғi...

Этот файл содержит 6 стр. в формате DOCX (40,5 КБ). Чтобы скачать "integralmikrosxemalar", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: integralmikrosxemalar DOCX 6 стр. Бесплатная загрузка Telegram