сканерловчи туннелли микроскоп

PPTX 3,5 MB Bepul yuklash

Sahifa ko'rinishi (5 sahifa)

Pastga aylantiring 👇

1540468805_67958.pptx /docprops/thumbnail.jpeg слайд 1 сканерловчи туннелли микроскоп наноструктурани ҳосил қилишнинг идеал жараёни –зарурий структурани олиш мақсадида бир атомни иккинчисига нисбатан тартиблаштиришдир. мана шундай ҳолни ричард фейнман (richard feynman) 1960 й. чоп этган мақоласида ёзган эди. сканирловчи туннелли микроскоп(стм)нинг яратилиши билан бундай орзунинг ушалишига асос бўла олди. бугунги кунда стм атомларни манипуляция қилишнинг энг содда ва қулай методи экани аён бўлиб қолди. стмнингқулайлиги шундаки, унинг ёрдамида нафақат атомларнинг манипуляцияси, балки атомли сиртларнинг тасвирини олиш имкони туғилди. шундай қилиб, сиртни кўриш имкони яратилди, текшириш зрару бўлган жой ёки объектни танлаш имкони бўлди, талаб этилган манипуляцияни яратиб унинг натижасини текшириш, зарауряит ҳолларда назорат қилиш мумкин бўлди. назарий маълумотлар ibm компаниясининг швейцария бўлими ходимлари г. бинниг (g. binnig) ва г. рорер (h. rohrer) яратган сканирловчи туннелли микроскопнинг аҳамиятини баҳолаш жуда қийин. улар бунинг учун 1986 й. нобел мукофотига сазовор бўлишганва бугунга қадар стмнинг барча имкониятлари тўласича ўрганиб тугатилмаган. барча сканирловчи зондли микроскопларнинг ўзига хослиги …

сиртдан олиб ташланади ва стм игнасига олинади; в – атом стм игнасидан олиниб сиртга ўрнатилади. сканирловчи туннелли микроскоп(стм) ёрдамида атомларни олиб ташлашнинг асосий механизмлари қуйидагича: атомларнинг ўзаро таъсири; майдон таъсирида буғлатиш; электронли стимуллаштирилган десорбция. атомларни олиб ташлаш стмнинг игнаси сртдаги атомга жуда яқинлаштирилса, у ҳолда потенциальные ямы, соответствующие игнанинг атом абсорбция-ланган жойи ҳамда намунанинг сиртидаги потенциал ўралар ўзаро кесишади. бу эса улар орасидаги потенциал тўсиқнинг баландлигини пасайтиради (5.10, б расмга қ.). бу эса атомнинг игнада бўлиш эҳтимоллигини орттиради ва игна билан бирга ўз жойини тарк этиш икониятини яратади. натижада атом игна билан бирга кетади. бундай методика, асосан, сирт билан кучсиз боғланган адсорбатлар учун қулайдир, масалан, бу ҳол хе адатомларини pt (111) ёки ni (110) сиртидан кўчиришда ойдаланилади. адатом дейилганида намунадаги буст бутун сиртнинг энг юқориги қатлами да жойлашган ва ўзаро бирлашган атомлар тушунилади. атомларнинг ўзаро таъсири 3-расм. ni (110) сиртидаги хе адатоми билан стм игнасининг ван-дер-ваальс ўзаро таъсир тасвири: а …

значение. рис. 5.4. испарение полем – это процесс, симметричный по отношению к полярности прикладываемого напряжения: а – к игле приложен положительный потенциал; б – к игле приложен отрицательный потенциал в качестве примера на рис. 5.5 изображен вид поверхности si (111) 77 при испарении с нее полем адатома si с приложении к игле импульса напряжения +4 в. рис. 5.5. стм изображения, показывающие испарение полем адатома si с поверхности si (111) 77 с помощью вольфрамовой иглы. атом si, помеченный стрелкой на а, удаляется приложением к игле импульса напряжения ut +2,0 в в течение 10 мс. образовавшаяся вакансия помечена стрелкой на рис. б [28] на рис. 5.6 представлена зависимость порогового напряжения, необходимого для удаления атома si, от логарифма туннельного тока, который приблизительно пропорционален ширине туннельного промежутка. в эксперименте использовались иглы, сделанные из разных материалов (ag, w, pt и au). явно видно, что процесс, в общих чертах, симметричен относительно полярности прикладываемого напряжения. некоторое количественное …

что для большинства кристаллических материалов, используемых в стм, увеличение температуры при обычных условиях незначительно (<< 1 k) [29]. более серьезный эффект дает прямое электронное возбуждение системы адсорбат–подложка, как это было продемонстрировано на примере атомов н, адсорбированных на поверхности si. возможность удаления атомов водорода один за другим была использована для формирования «проволоки из ненасыщенных связей» на моногидридной поверхности si (100) 21-н (рис. 5.7). на исходной поверхности все свободные связи насыщены атомами н, следовательно, удаление одного атома н приводит к появлению одной ненасыщенной связи. эта процедура очень тонка и требует точной настройки используемых параметров: в данном случае напряжение было ut = – 2,9 в, туннельный ток 0,4 на, а длительность импульса от 100 до 300 мс. при несколько большем напряжении (выше – 3,0 в) затруднительно удалить лишь один атом н, так как часто одновременно удаляются несколько атомов. при немного меньшем напряжении (ниже – 2,6 в), напротив, удаление даже одного атома н происходит …

зки, даставвал олинган атомни жойига ўтқазиш атомни олишдек қайталанувчан жараён деб бўлмайди, чунки олинган-жойидан қўзғатилган атом игна бўйлаб миграцмяланиши мумкин ва уни аввалги жойига ўтқазиш мураккаблашади. хусусан вольфрамли игна билан ўтказилган экспериментда si si (111)77 сиртдаги адатомларни дастлабки жойига ўтқазиш эҳтимоллиги 20% атрофида ёки ундан ҳам кичик бўлади. бундай атомни сиртдаги ҳолатини назорат қилиш эса янада мураккаблашади. ўтқазилган атом эса бошқаси ҳам бўлиши мумкин, албатта. рис. 5.8. удаление и повторное осаждение адатома si на поверхности si (111)77 с помощью вольфрамовой иглы стм: а – исходная поверхность; атом, который будет удален, помечен стрелкой; б – поверхность после атомных манипуляций; вакансия, образовавшаяся после удаления атома, помечена стрелкой, вновь осажденный атом помечен крестом [28] оказалось, что осаждение не отдельных атомов, а кластеров, является более надежной методикой формирования наноструктур. в этой методике на поверхности формируются бугорки нанометрового масштаба за счет переноса материала с иглы. для этого используют два основных метода: метод z – импульса, …

Ko'proq o'qimoqchimisiz?

Faylni Telegram orqali bepul yuklab oling.

To'liq faylni yuklab olish

"сканерловчи туннелли микроскоп" haqida

1540468805_67958.pptx /docprops/thumbnail.jpeg слайд 1 сканерловчи туннелли микроскоп наноструктурани ҳосил қилишнинг идеал жараёни –зарурий структурани олиш мақсадида бир атомни иккинчисига нисбатан тартиблаштиришдир. мана шундай ҳолни ричард фейнман (richard feynman) 1960 й. чоп этган мақоласида ёзган эди. сканирловчи туннелли микроскоп(стм)нинг яратилиши билан бундай орзунинг ушалишига асос бўла олди. бугунги кунда стм атомларни манипуляция қилишнинг энг содда ва қулай методи экани аён бўлиб қолди. стмнингқулайлиги шундаки, унинг ёрдамида нафақат атомларнинг манипуляцияси, балки атомли сиртларнинг тасвирини олиш имкони туғилди. шундай қилиб, сиртни кўриш имкони яратилди, текшириш зрару бўлган жой ёки объектни танлаш имкони бўлди, талаб этилган манипуляцияни яратиб унинг натижасини текши...

PPTX format, 3,5 MB. "сканерловчи туннелли микроскоп"ni yuklab olish uchun chap tomondagi Telegram tugmasini bosing.

Teglar: сканерловчи туннелли микроскоп PPTX Bepul yuklash Telegram