"электроника ва схемалар 2"

DOCX 19 стр. 553,3 КБ Бесплатная загрузка

19 стр.

FaylHub.uz

Скачать через Telegram

Размер 553,3 КБ

Тип файла DOCX

Страницы 19

Обновлено Дек 2025

Предварительный просмотр (5 стр.)

Прокрутите вниз 👇

1 / 19

ўзбекистон республикаси ахборот ва коммуникацион технологияларини ривожлантириш вазирлиги мухаммад ал-хоразимий номидаги тошкент ахборот технологиялари университети “электроника ва схемалар 2” фанидан 1- мустақил иш мавзу: «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш» бажарди: cas009 гурух талабаси юсупова сурайё тошкент 2022 ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган bc549bp биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш. вариантлар ва дастлабки маълумотлар: вариантлар транзистор тури база сокин токи iбп, мка манба кучланиши ек, в коллектор қаршилиги rк, ом кучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fн, гц 58 bc549bp 75 20 600 250 1. bc549bp транзисторининг параметрларини ҳисоблаш 1.1 уэ схемаси асосида bc549bp транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш. уэ схемасига асосида bc549bp транзисторининг кириш характеристикалари яъни uкэ = 0 в ва uкэ = 10 в бўлганида iб = f(uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади. 1- расм 1- расм. транзисторнинг кириш …

2 / 19

ри, яъни iб = const бўлганида iк = f(uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм) ( ib = const ) 3- расм. транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш база токининг iб = 25 мка; iб = 50 мка; iб = 75 мка; iб = 100 мка; iб = 125 мка; iб = 150 мка қийматларида транзисторнинг коллектор токи iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. бу қийматлар асосида bc549bp транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи iб = const бўлганда iк = f(uкэ) графиги тузилади. bc549bp транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи iк = f(uкэ) 2-жадвал uкэ iб=25 мка бўлганда iк ма iб=50мка бўлганда iк ма iб=75 мка бўлганда iк ма iб=100мка бўлганда iк ма iб=125 мка бўлганда iк ма iб=150мка бўлганда iк ма 0 -0,03 -0,075 -0,125 -0,176 -0,227 -0,278 0,5 -7,314 -14,441 -21,092 -27,324 -33,198 -39,766 1,0 -7,363 -14,536 -21,232 -27,506 -33,419 …

3 / 19

мка қиймати ёрдамида “а” ишчи нуқтани аниқлаймиз. “а” нуқтанинг координаталри: iбп=75 мка, uбэп=735 мв. “а” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи δiб ва оралиқ кучланиш δuбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз:: 5- расмдан iб1=25 мка, iб2=100 мка, uбэ1=696 мв, uбэ2=735мв қийматларни оламиз. у ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади: 5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш bc549bp транзисторининг кириш характеристикалари оиласи iб = f(uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. бунинг учун uкэ=0в холатида олинган характеристикани кесишувчи “а” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. bc549bp транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: δuкэ= uкэ2 – uкэ1=10в – 0в=10в δuкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз: δuбэ= uбэп4 – uбэ3=735мв – 638мв=97мв 6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: bc549bp транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи iк = f(uкэ)(iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. iбп = …

4 / 19

,237 ма + 30,781 ма = 22,544 ма h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: bc549bp транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи iб = 75 мка бўлганида iк = f(uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. бунинг учун iбп = 75 мка бўлганда характеристика шахобчасида “а” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз: 8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш δuкэ= uкэ2 – uкэ1= 15в – 5в = 10 в бу uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради: δiк=iк4 – iк3=-22,355ма + 25,16ма = 2,805 ма у ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг: 1.3. bc549bp транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз: 1.4. bc549bp транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз: 2. уэ уланишга эга кучайтиргич каскадини элементларини параметрларни хисоблаш. 9-расм.уэ уланишга эга кучайтиргич каскади схемаси 2.1.каскаднинг қаршиликларини хисоблаш. сокинлик режимида ток бўлувчини аниқлаш сокинлик режимини берувчи қаршиликлар йиғиндисин аниқлаш rэ қаршилигдаги …

5 / 19

амиз (, uбэп) ва uкир = 0 ўрнатамиз (кириш сигнали мавжуд бўлмаган шарти). 10-расм. сокинлик режимида умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган bc549bp биполяр транзисторли кучайтиргич каскади схемаси сокинлик режимда ва uбэп= 654 мв. берилган қийматига яқин қийматларига эга бўламиз. 3. кучайтиргич каскадини параметрларини аниқлаш. уэ схемаси асосида йиғилган bc549bp биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини кириш қаршилигини ўлчаймиз. бунинг учун киришга 5 мв, fўр=10 кгц сигнал берамиз ва uкирва uчиқ кучланишларини қийматларини оламиз (4-схема). бунда вольтметрларни ўзгарувчи кучланишларни ўлчаш режими (ас) га ўтказиб оламиз. 11-расм. салт юриш режимида умумий эмиттер бўйича йиғилган bc549bp биполяр транзисторли кучайтиргич каскади семаси кучайтиргич каскадини кириш кучланиши:uкир=1,966 в кучайтиргич каскадини чиқиш кучланиши:uчиқ=0,926 мв кучайтиргич каскадини кириш қаршилигини аниқлаймиз. бунинг учун схемани кириш занжирига (11-расм) кетма-кет равишда ўзгарувчи резистор қўшамиз ва каскаднинг кириш зажирига ўрнатилган вольтметрда u=uкир/2 ҳосил бўлгунича резисторни қаршилигини ўзгартирамиз (11-расм). 11-расм. кириш қаршилигини ўлчаш схемаси ўзгарувчи қаршликнинг олинган қиймати кучайтиргичнинг кириш қаршилигига тенг: rкир=1000 kом …

Хотите читать дальше?

Скачайте все 19 страниц бесплатно через Telegram.

Скачать полный файл

О ""электроника ва схемалар 2""

ўзбекистон республикаси ахборот ва коммуникацион технологияларини ривожлантириш вазирлиги мухаммад ал-хоразимий номидаги тошкент ахборот технологиялари университети “электроника ва схемалар 2” фанидан 1- мустақил иш мавзу: «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш» бажарди: cas009 гурух талабаси юсупова сурайё тошкент 2022 ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган bc549bp биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш. вариантлар ва дастлабки маълумотлар: вариантлар транзистор тури база сокин токи iбп, мка манба кучланиши ек, в коллектор қаршилиги rк, ом кучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fн, гц 58 bc549bp 75 20 600 250 1. bc549bp транзистор...

Этот файл содержит 19 стр. в формате DOCX (553,3 КБ). Чтобы скачать ""электроника ва схемалар 2"", нажмите кнопку Telegram слева.

Теги: "электроника ва схемалар 2" DOCX 19 стр. Бесплатная загрузка Telegram